温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成初始结构，初始结构包括第一栅介质层和位于第一栅介质层上的第一栅极层，第一栅极层具有第一厚度；对初始结构进行氧化处理，在第一栅介质层与第一栅极层之间形成第二厚度的第二栅介质层，第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。