半导体结构的制作方法技术

本公开提供一种半导体结构的制作方法，所述半导体结构的制作方法包括：提供基底，所述基底上包括第一介质层；采用持续模式的氮化工艺，对所述第一介质层进行第一次氮化处理，以形成第一掺杂层；采用断续模式的氮化工艺，对所述第一掺杂层进行第二次氮化处理，以形成第二掺杂层；其中，所述第一次氮化处理的掺杂深度大于所述第二次氮化处理的掺杂深度，且所述第二掺杂层顶部的掺杂浓度大于所述第二掺杂层底部的掺杂浓度。在本公开中，将持续模式的氮化工艺和断续模式的氮化工艺相结合，能够同时控制掺杂层中氮元素的掺杂深度和氮浓度分布，从而提高半导体结构的介电常数和稳定性。从而提高半导体结构的介电常数和稳定性。从而提高半导体结构的介电常数和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法


[0001]本公开属于半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构的制作方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路制造技术的飞速发展，集成电路芯片朝向更高的器件密度、更高的集成度方向发展，集成电路器件(例如，互补金属氧化物半导体器件)的尺寸随着不断地减小。在器件尺寸缩小的同时，栅介质层的尺寸也相应减小变得越来越薄，但是工作电压却没有相应的缩小，这就使得栅介质层中电场强度增大，器件的击穿电压降低，栅漏电流增大，影响器件的性能。因此，在集成电路器件的生产制造中，为了保证器件的性能，栅介质层需要采用具有高介电常数的材料，现有技术可通过对SiO2栅介质层进行氮化处理，获得具有一定氮浓度的栅介质层，从而提高栅介质层的介电常数。

技术实现思路

[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开提供一种半导体结构的制作方法，其包括：
[0005]提供基底，所述基底上包括第一介质层；
[0006]采用持续模式的氮化工艺，对所述第一介质层进行第一次氮本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上包括第一介质层；采用持续模式的氮化工艺，对所述第一介质层进行第一次氮化处理，以形成第一掺杂层；采用断续模式的氮化工艺，对所述第一掺杂层进行第二次氮化处理，以形成第二掺杂层；其中，所述第一次氮化处理的掺杂深度大于所述第二次氮化处理的掺杂深度，且所述第二掺杂层顶部的掺杂浓度大于所述第二掺杂层底部的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述采用持续模式的氮化工艺，对所述第一介质层进行第一次氮化处理，包括：通入第一气体流量的氩气和第二气体流量的氮气，施加第一预设电压，对所述第一介质层进行第一次氮化处理。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一气体流量大于所述第二气体流量。4.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一气体流量为300～500sccm，所述第二气体流量为50～100sccm。5.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述采用断续模式的氮化工艺，对所述第一掺杂层进行第二次氮化处理，包括：通入第三气体流量的氩气和第四气体流量的氮气，按照预定断续方式施加第二预设电压，对所述第一掺杂层进行第二次氮化处理。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第三气体流量大于所述第四气体流量。7.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第三气体流...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，闫冬，王梓杰，汪逸航，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：