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本公开提供一种半导体结构的制作方法，所述半导体结构的制作方法包括：提供基底，所述基底上包括第一介质层；采用持续模式的氮化工艺，对所述第一介质层进行第一次氮化处理，以形成第一掺杂层；采用断续模式的氮化工艺，对所述第一掺杂层进行第二次氮化处理，...
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