温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开实施例公开了一种半导体器件的制备方法以及半导体器件，其中，所述半导体器件的制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构包括位于所述栅极沟槽内的栅电极以及位于所述栅电极和所述栅极沟槽之间的...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。