射频功率放大器、芯片及电子设备制造技术

本实用新型专利技术实施例提供一种射频功率放大器，其包括依次连接的第一变压器、第一级功率放大器、第二变压器、第二级功率放大器、第三变压器、第一电容以及第二电容；第一电容用于与第一变压器的初级线圈电感形成谐振器结构；第二电容用于与第二变压器的次级线圈电感谐振在二倍频。本实用新型专利技术实施例提供一种芯片和电子设备。本实用新型专利技术射频功率放大器、芯片和电子设备的谐波抑制效果好。子设备的谐波抑制效果好。子设备的谐波抑制效果好。

【技术实现步骤摘要】
射频功率放大器、芯片及电子设备


[0001]本技术涉及电路
，尤其涉及一种射频功率放大器、芯片及电子设备。

技术介绍

[0002]目前，无线通信技术的发展，尤其5G的应用越来越广。5GNR 是基于OFDM的全新空口设计的全球性5G标准，也是下一代非常重要的蜂窝移动技术基础，5G技术将实现超低时延、高可靠性。由于数据传输更快和高的线性度要求，在射频前端模组中的射频功率放大器成为重要的组成部分。
[0003]相关技术的射频功率放大器一般包括依次连接的第一级功率放大器、第二功率放大器以及输出匹配网络。请参考图1所示，图 1为相关技术的射频功率放大器的电路结构示意图。所述输出匹配网络包括电感L1、电容C1、电感L2以及电容C2。射频信号从射频信号输入端RFin输入，经过第一级功率放大器和第二功率放大器两级功率放大，通过输出匹配网络后从射频信号输出端RFout 馈送到外部的天线发射出去。
[0004]然而，相关技术的射频功率放大器为4G技术。而5G网络的主要优势在于，数据传输速率远远高于以前的蜂窝网络，最高可达 10Gbit/s，比当前的有线互联网要快，比先前的4G LTE蜂窝网络快100倍。另一个优点是较低的网络延迟(更快的响应时间)，低于1毫秒，而4G为30
‑
70毫秒。4G LTE射频前端模块的射频功率放大器已经无法达到5G
‑
NR的线性度要求。
[0005]因此，实有必要提供一种新的射频功率放大器及相关芯片和设备解决上述问题。

技术实现思路

[0006]针对以上现有技术的不足，本技术提出一种谐波抑制效果好的射频功率放大器、芯片及电子设备。
[0007]为了解决上述技术问题，第一方面，本技术的实施例提供了一种射频功率放大器，其包括依次连接的第一变压器、第一级功率放大器、第二变压器、第二级功率放大器、第三变压器、第一电容以及第二电容；
[0008]所述第一变压器用于将输入的单端信号转化为两路差分信号，并将两路所述差分信号耦合到所述第一级功率放大器；
[0009]所述第一级功率放大器用于将耦合的两路所述差分信号进行放大，并输出两路放大差分信号；
[0010]所述第二变压器用于将两路所述放大差分信号耦合到所述第二级功率放大器；
[0011]所述第二级功率放大器用于将耦合的两路所述放大差分信号放大；
[0012]所述第三变压器用于将所述第二级功率放大器放大后的两路所述放大差分信号合成一路信号并输出；
[0013]所述第一电容用于与所述第一变压器的初级线圈电感形成谐振器结构；
[0014]所述第二电容用于与所述第二变压器的次级线圈电感谐振在二倍频。
[0015]优选的，所述第一级功率放大器包括第一功率放大器和第二功率放大器；所述第二级功率放大器包括第三功率放大器和第四功率放大器；
[0016]所述第一变压器的初级线圈的第一端作为所述射频功率放大器的输入端，且所述第一变压器的初级线圈的第一端通过串联所述第一电容后连接至接地；
[0017]所述第一变压器的初级线圈的第二端连接至接地；所述第一变压器的次级线圈的第一端连接至所述第一功率放大器的输入端；所述第一变压器的次级线圈的第二端连接至所述第二功率放大器的输入端；
[0018]所述第一功率放大器的输出端连接至所述第二变压器的初级线圈的第一端；
[0019]所述第二功率放大器的输出端连接至所述第二变压器的初级线圈的第二端；
[0020]所述第二变压器的次级线圈的第一端连接至所述第三功率放大器的输入端；所述第二变压器的次级线圈的第二端连接至所述第四功率放大器的输入端；
[0021]所述第三功率放大器的输出端连接至所述第三变压器的初级线圈的第一端；
[0022]所述第四功率放大器的输出端连接至所述第三变压器的初级线圈的第二端；
[0023]所述第三变压器的次级线圈的第二端连接至接地；所述第三变压器的次级线圈的第一端作为所述射频功率放大器的输出端；
[0024]所述第二电容的第一端连接至所述第二变压器的次级线圈的中心抽头端；所述第二电容的第二端连接至接地；
[0025]所述第二电容与所述第二变压器谐振在二倍频。
[0026]优选的，所述第一电容和所述第二电容均为参数可调电容。
[0027]优选的，所述第一级功率放大器和所述第二级功率放大器均采用晶体管实现。
[0028]第二方面，本技术的实施例提供了一种芯片，所述芯片包括所述射频功率放大器。
[0029]第三方面，本技术的实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括所述射频功率放大器。
[0030]与相关技术相比，本技术的射频功率放大器、芯片及电子设备通过所述第一级功率放大器拆分为第一功率放大器和第二功率放大器的两部分；同时将所述第二级功率放大器拆分为第三功率放大器和第四功率放大器；通过所述第一变压器将第一级功率放大器的输出信号拆分耦合到第一功率放大器和第二功率放大器，再通过第二变压器耦合到第三功率放大器和第四功率放大器，再通过第三变压器将两路信号合成一路信号到输出。该电路结构使得本技术的射频功率放大器满足高功率和高线性的需求。其中，所述第一变压器的初级线圈的第一端通过串联所述第一电容后连接至接地，该电路结构使得第一电容与所述第一变压器的初级线圈电感形成谐振器结构，使得输入到所述第一级功率放大器的信号谐振于工作频带内，从而有利于射频功率放大器满足高功率和高线性的需求，也有利于抑制杂波，使得射频功率放大器的谐波抑制效果好。同时，所述第二电容与所述第二变压器谐振在二倍频，即二阶谐波 2F0，该电路结构使得射频功率放大器、芯片及电子设备的谐波抑制效果好。
附图说明
[0031]下面结合附图详细说明本技术。通过结合以下附图所作的详细描述，本实用
新型的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中，
[0032]图1为相关技术的射频功率放大器的电路结构示意图；
[0033]图2为本技术射频功率放大器的电路结构示意图。
具体实施方式
[0034]下面结合附图详细说明本技术的具体实施方式。
[0035]在此记载的具体实施方式/实施例为本技术的特定的具体实施方式，用于说明本技术的构思，均是解释性和示例性的，不应解释为对本技术实施方式及本技术范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案，都在本技术的保护范围之内。
[0036]本技术实施例提供一种射频功率放大器100。
[0037]请同时参考图2所示，其中，图2为本技术射频功率放大器100的电路结构示意图。
[0038]本技术射频功率放大器100包括依次连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器，其特征在于，其包括依次连接的第一变压器、第一级功率放大器、第二变压器、第二级功率放大器、第三变压器、第一电容以及第二电容；所述第一变压器用于将输入的单端信号转化为两路差分信号，并将两路所述差分信号耦合到所述第一级功率放大器；所述第一级功率放大器用于将耦合的两路所述差分信号进行放大，并输出两路放大差分信号；所述第二变压器用于将两路所述放大差分信号耦合到所述第二级功率放大器；所述第二级功率放大器用于将耦合的两路所述放大差分信号放大；所述第三变压器用于将所述第二级功率放大器放大后的两路所述放大差分信号合成一路信号并输出；所述第一电容用于与所述第一变压器的初级线圈电感形成谐振器结构；所述第二电容用于与所述第二变压器的次级线圈电感谐振在二倍频。2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一级功率放大器包括第一功率放大器和第二功率放大器；所述第二级功率放大器包括第三功率放大器和第四功率放大器；所述第一变压器的初级线圈的第一端作为所述射频功率放大器的输入端，且所述第一变压器的初级线圈的第一端通过串联所述第一电容后连接至接地；所述第一变压器的初级线圈的第二端连接至接地；所述第一变压器的次级线圈的第一端连接至所述第一功率放大器的输入端；所述第一变压器的次级线圈的第二端连接至所述第二功...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁威，郭嘉帅，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：