射频开关正向偏置加速建立电路及射频开关制造技术

本实用新型专利技术提供了一种射频开关正向偏置加速建立电路，包括使能信号输入端、基准电压产生电路、低压差线性稳压器、振荡器、正向二倍电荷泵、高电压偏置输出端、偏置稳压电容、逻辑翻转检测电路以及加速建立电路，加速建立电路包括加速上拉晶体管和二极管，加速上拉晶体管的栅极连接至逻辑翻转检测电路的输出端，加速上拉晶体管的源极连接至电源电压，加速上拉晶体管的漏极连接至二极管的正极端，二极管的负极端连接至正向二倍电荷泵的输出端。本实用新型专利技术还提供一种射频开关，包括上述射频开关正向偏置加速建立电路。与现有技术相比，本实用新型专利技术的射频开关正向偏置加速建立电路及射频开关延迟小、响应速度快。响应速度快。响应速度快。

【技术实现步骤摘要】
射频开关正向偏置加速建立电路及射频开关


[0001]本技术涉及无线通信射频开关
，尤其涉及射频开关正向偏置加速建立电路及射频开关。

技术介绍

[0002]射频开关广泛应用于无线通信设备中，使用在需要对射频信号进行导通或截止的场合，例如发射接收开关、通道选择开关、调谐开关、换向开关等。目前综合成本和性能的考量，无线通信设备中通常使用硅衬底
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掩埋氧化层
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外沿硅(SOI)技术，在外沿硅上生长金属氧化物场效应晶体管(MOS)器件来制作射频开关电路。现今的手持设备中为提高集成度，通常省略射频开关的常压模拟电源，仅保留串行控制接口的低压数字电源，因此射频开关需要使用低压电源为常压工作的射频器件提供偏置。
[0003]现有的射频开关中，如图1所示，转换电源电压通常使用低压差线性稳压器将电压稳定在常压的一半，然后用正向二倍电荷泵将其提升至射频器件所需的电压。同时为了低功耗的需求，在不需要该射频开关链路工作时串行控制接口将关闭所有的控制电路仅保留接口的供电。但是每当需要启动时，如图2所示，由于基准电压产生电路和低压差线性稳压器本身的响应慢，加上振荡器和二倍电荷泵的响应延迟，使得射频开关自收到串行控制的使能信号后有较长的时间内无法提供正确的功能，响应速度慢。
[0004]因此，有必要提供一种新的射频开关正向偏置加速建立电路及射频开关以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0005]针对以上相关技术的不足，本技术提出一种延迟小、响应速度快的射频开关正向偏置加速建立电路及射频开关。
[0006]为了解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种射频开关正向偏置加速建立电路，包括：
[0007]使能信号输入端，用于连接外部使能信号；
[0008]基准电压产生电路，用于产生基准电压，所述基准电压产生电路的输入端与所述使能信号输入端连接，所述基准电压产生电路的电源端与电源电压连接，所述基准电压产生电路的接地端连接至接地；
[0009]低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器的输入分别连接至所述电源电压、所述基准电压产生电路的输出端、所述使能信号输入端；
[0010]振荡器，所述振荡器的输入端连接至所述使能信号输入端，所述振荡器的电源端连接至电源电压，所述振荡器的接地端连接至接地；
[0011]正向二倍电荷泵，所述正向二倍电荷泵的第一输入端连接至所述振荡器的输出端，所述正向二倍电荷泵的第二输入端连接至所述低压差线性稳压器的输出端，所述正向二倍电荷泵的接地端连接至接地；
[0012]高电压偏置输出端，所述高电压偏置输出端连接至所述正向二倍电荷泵的输出端；
[0013]偏置稳压电容，所述偏置稳压电容的正极连接至所述正向二倍电荷泵的输出端，所述偏置稳压电容的负极连接至接地；
[0014]逻辑翻转检测电路，所述逻辑翻转检测电路的输入端连接至所述使能信号输入端，所述逻辑翻转检测电路的电源端连接至所述电源电压，所述逻辑翻转检测电路的接地端连接至接地；以及，
[0015]加速建立电路，所述加速建立电路包括加速上拉晶体管和二极管，所述加速上拉晶体管的栅极连接至所述逻辑翻转检测电路的输出端，所述加速上拉晶体管的源极连接至所述电源电压，所述加速上拉晶体管的漏极连接至所述二极管的正极端，所述二极管的负极端连接至所述正向二倍电荷泵的输出端。
[0016]优选的，所述加速上拉晶体管为PMOSFET三极管。
[0017]优选的，所述低压差线性稳压器包括双运算放大器、功率晶体管、第一电感和第二电感；所述功率晶体管的漏极依次串联所述第一电感和所述第二电感后连接至接地，且所述功率晶体管的漏极作为所述低压差线性稳压器的输出端，所述功率晶体管的源极连接至所述电源电压，所述功率晶体管的栅极连接至所述双运算放大器的输出端；所述双运算放大器的第一运放同向输入端连接至所述第一电感与所述第二电感之间，所述双运算放大器的第一运放反向输入端连接至所述基准电压产生电路的输出端，所述双运算放大器的第二运放同向输入端连接至所述使能信号输入端，所述双运算放大器的电源端连接至所述电源电压，所述双运算放大器的接地端连接至接地。
[0018]优选的，所述射频开关正向偏置加速建立电路还包括参考电压稳压电容，所述参考电压稳压电容的正极连接至所述低压差线性稳压器的输出端，所述参考电压稳压电容的第二输出端连接至接地。
[0019]优选的，所述功率晶体管为PMOSFET三级管。
[0020]本技术实施例还提供一种射频开关，其包括本技术实施例提供的上述射频开关正向偏置加速建立电路。
[0021]与现有技术相比，本技术的射频开关正向偏置加速建立电路及射频开关中，设置了加速建立电路，加速建立电路包括加速上拉晶体管和二极管，所述加速上拉晶体管的栅极连接至所述逻辑翻转检测电路的输出端，所述加速上拉晶体管的源极连接至所述电源电压，所述加速上拉晶体管的漏极连接至所述二极管的正极端，所述二极管的负极端连接至所述正向二倍电荷泵的输出端，从而，逻辑翻转检测电路由于检测到使能信号翻转，从而输出一定长度的脉冲作为加速电路启动的信号，该信号经过反相后使加速建立的所述加速上拉晶体管导通，在扣减一个二极管压降后，为电荷泵的偏置稳压电容充电，使其在低压差线性稳压器和振荡器工作之前即能得到中间电平，而随着逻辑翻转检测电路的脉冲结束和低压差线性稳压器的输出趋于正常，电荷泵仅需在中间电平的基础上抬升输出的电平即可，从而有效的缩短了射频开关正向偏置加速建立电路及射频开关的响应时间，实现了简单电路达到延迟小，响应快的目的。
附图说明
[0022]下面结合附图详细说明本技术。通过结合以下附图所作的详细描述，本技术的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中：
[0023]图1为相关技术的射频开关正向偏置加速建立电路的电路原理图；
[0024]图2为相关技术的射频开关正向偏置加速建立电路的电压信号变化示意图；
[0025]图3为本技术实施例提供的射频开关正向偏置加速建立电路的电路原理图；
[0026]图4为本技术实施例提供的射频开关正向偏置加速建立电路的电压信号变化示意图。
具体实施方式
[0027]下面结合附图详细说明本技术的具体实施方式。
[0028]在此记载的具体实施方式/实施例为本技术的特定的具体实施方式，用于说明本技术的构思，均是解释性和示例性的，不应解释为对本技术实施方式及本技术范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案，都在本技术的保护范围之内。
[0029]以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本技术可用以实施的特定实施例。本技术所提到的方向用语，例如上、下、前、后、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频开关正向偏置加速建立电路，其特征在于，包括，使能信号输入端，用于连接外部使能信号；基准电压产生电路，用于产生基准电压，所述基准电压产生电路的输入端与所述使能信号输入端连接，所述基准电压产生电路的电源端与电源电压连接，所述基准电压产生电路的接地端连接至接地；低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器的输入分别连接至所述电源电压、所述基准电压产生电路的输出端、所述使能信号输入端；振荡器，所述振荡器的输入端连接至所述使能信号输入端，所述振荡器的电源端连接至电源电压，所述振荡器的接地端连接至接地；正向二倍电荷泵，所述正向二倍电荷泵的第一输入端连接至所述振荡器的输出端，所述正向二倍电荷泵的第二输入端连接至所述低压差线性稳压器的输出端，所述正向二倍电荷泵的接地端连接至接地；高电压偏置输出端，所述高电压偏置输出端连接至所述正向二倍电荷泵的输出端；偏置稳压电容，所述偏置稳压电容的正极连接至所述正向二倍电荷泵的输出端，所述偏置稳压电容的负极连接至接地；逻辑翻转检测电路，所述逻辑翻转检测电路的输入端连接至所述使能信号输入端，所述逻辑翻转检测电路的电源端连接至所述电源电压，所述逻辑翻转检测电路的接地端连接至接地；以及，加速建立电路，所述加速建立电路包括加速上拉晶体管和二极管，所述加速上拉晶体管的栅极连接至所述逻辑翻转检测电路的输出端，所述加速上拉晶体管的源极连接至所述电源电压，所述加速上拉晶体管的漏极连接至所述二极管的正极端，所述二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏俊华，郭嘉帅，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：