一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法技术

本公开涉及一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件形成在半导体基板上，所述半导体基板包括元胞区和终端区，所述半导体基板包括：衬底；位于衬底上方的第一导电类型的外延层；多个第二导电类型的第一柱体，位于所述第一导电外延层内，所述第二导电类型的第一柱体和外延层中的对应第一导电类型的第二柱体形成多组PN柱对，在半导体基板内形成超结结构；第二导电类型的注入阱区，形成在所述第一柱体的正上方；绝缘氧化层，设置在所述第二柱体的正下方。在所述第二柱体的正下方。在所述第二柱体的正下方。

【技术实现步骤摘要】
一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法


[0001]本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，尤其是一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法，属于半导体器件的


技术介绍

[0002]在功率半导体器件领域，器件的功率密度和导通电阻是衡量产品性能最重要的指标之一。功率密度越大不仅可以降低芯片成本还能减小寄生电容和实现小型化封装。
[0003]一种公知的半导体结构，即超结结构(Super Junction)被广泛应用于半导体功率器件当中。超结结构具有高耐压和低导通电阻的特性。超结结构形成在半导体器件的漂移层内。该漂移层包括第一导电类型(例如，N型)的导电柱体和第二导电类型(例如，P型)的导电柱体，N型导电柱体和P型导电柱体交替邻接设置而形成多组PN柱对，以形成超结结构。
[0004]本公开通过调整N柱和P柱的浓度来控制超结体内的电场分布，可以使电场分布更加均匀和平滑，将电场峰值控制在沟槽区底部的绝缘氧化层附近，从而提高了耐压效率。

技术实现思路

[0005]本公开的特定实施例包括一种具有超结结构的半导体器件，其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有超结结构的半导体器件，其特征是：所述半导体器件形成在半导体基板上，所述半导体基板包括元胞区和终端区，所述元胞区位于半导体基板的中心区域，在所述元胞区内形成MOS结构，所述终端区位于半导体基板的外围区域并环绕所述元胞区，在所述终端区内形成场氧层和多晶场极板结构；所述半导体基板包括：衬底；位于衬底上方的第一导电类型的外延层；多个第二导电类型的第一柱体，位于所述第一导电外延层内，所述第二导电类型的第一柱体和外延层中的对应第一导电类型的第二柱体形成多组PN柱对，在半导体基板内形成超结结构；所述超结结构分别存在于元胞区和终端区内，所述第一柱体沿着电流流通的方向在第一导电类型外延层内向下延伸，且所述第一柱体延伸的深度小于外延层的厚度；第二导电类型的注入阱区，形成在所述第一柱体的正上方；绝缘氧化层，设置在所述第二柱体的正下方；其中，所述注入阱区的掺杂浓度不低于所述第一柱体的掺杂浓度，所述注入阱区的宽度不小于所述第一柱体上方的宽度。2.根据权利要求1所述的具有超结结构的半导体器件，其特征是：多个第二导电类型的第一柱体中的每一个的宽度和深度均相同。3.根据权利要求1所述的具有超结结构的半导体器件，其特征是：所述绝缘氧化层厚度范围为4.根据权利要求1所述的具有超结结构的半导体器件，其特征是：所述MOS结构包括平面型MOS结构或沟槽型MOS结构。5.一种具有超结结构的半导体器件的制造方法，其特征是，所述半导体器件形成在半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹玉春，
申请(专利权)人：上海昱率科技有限公司，
类型：发明
国别省市：