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本公开涉及一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件形成在半导体基板上，所述半导体基板包括元胞区和终端区，所述半导体基板包括：衬底；位于衬底上方的第一导电类型的外延层；多个第二导电类型的第一柱体，位于所述第一导电外延层内，所述...
该专利属于上海昱率科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海昱率科技有限公司授权不得商用。

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