一种测量深槽电容寄生电阻的方法技术

本发明专利技术公开了一种测量深槽电容寄生电阻的方法，包括如下步骤：步骤S1，在深槽电容的正端电极的两侧对称开窗形成第一测试点(P1)和第二测试点(P2)，在所述深槽电容的GND电极上开窗形成接地测试点(GND)；步骤S2，通过第一测试点(P1)、第二测试点(P2)、接地测试点(GND)连接测试设备和所述深槽电容，测量所述深槽电容的S参数，记录测试结果；步骤S3，根据电路理论，进行S参数到Z参数的变换，得到所述深槽电容的Z参数，从而获得所述深槽电容寄生电阻。从而获得所述深槽电容寄生电阻。从而获得所述深槽电容寄生电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种测量深槽电容寄生电阻的方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路
，特别是涉及一种精确测量深槽电容(DTC)寄生电阻的方法。

技术介绍

[0002]图1a为现有技术中深槽电容DTC的剖面图，具体地，深槽电容DTC由第一导体10、第二导体20、第三导体30、第四导体40、多个金属硅化物50、衬底60以及导体间的介质材料组成。生成DTC时，先于衬底60上形成两个深槽，然后在深槽内依次形成第四导体40、介质材料、第三导体30、介质材料、第二导体20、介质材料、第一导体10。
[0003]具体地，第四导体40沿两个深槽的边沿生成，在其两侧生成金属硅化物50，第四导体40表面的其他区域生成介质材料；在介质材料上生成第三导体30，在第三导体中间生成金属硅化物50，第三导体30表面的其他区域生成介质材料；再在第三导体30表面的介质材料上沿两个深槽生成两个第二导体20，在两个第二导体20的外侧生成金属硅化物50，然后在两个第二导体20上的其他区域形成介质材料；最后在两个第二导体上的介质材料上与两个深槽内生成第一导体10，在第一导体10上生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测量深槽电容寄生电阻的方法，包括如下步骤：步骤S1，在深槽电容的正端电极的两侧对称开窗形成第一测试点(P1)和第二测试点(P2)，在所述深槽电容的两个GND电极上分别开窗形成第一接地测试点、第二接地测试点，并在第一测试点(P1)与第二测试点(P2)的中点形成第三接地测试点；步骤S2，通过第一测试点(P1)、第二测试点(P2)以及三个接地测试点连接测试设备和所述深槽电容，测量所述深槽电容的S参数，记录测试结果；步骤S3，根据电路理论，进行S参数到Z参数的变换，得到所述深槽电容的Z参数，从而获得所述深槽电容寄生电阻。2.如权利要求1所述的一种测量深槽电容寄生电阻的方法，其特征在于：所述第一测试点(P1)与正端电极间电路包括串联的第一等效串联电阻(P1R)、第一等效串联电感(P1L)，用于模拟第一测试点(P1)与所述深槽电容正端电极间的电路网络，所述第二测试点(P2)与正端电极间电路包括串联的第二等效串联电阻(P2R)、第二等效串联电感(P2L)，用于模拟第二测试点(P2)与所述深槽电容正端电极间的电路网络，所述正端电极与地之间的电路包括串联的等效串联电阻(ESR)、等效串联电感(ESL)以及电容(C)，用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：范象泉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：