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本发明公开了一种测量深槽电容寄生电阻的方法,包括如下步骤:步骤S1,在深槽电容的正端电极的两侧对称开窗形成第一测试点(P1)和第二测试点(P2),在所述深槽电容的GND电极上开窗形成接地测试点(GND);步骤S2,通过第一测试点(P1)、第...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种测量深槽电容寄生电阻的方法,包括如下步骤:步骤S1,在深槽电容的正端电极的两侧对称开窗形成第一测试点(P1)和第二测试点(P2),在所述深槽电容的GND电极上开窗形成接地测试点(GND);步骤S2,通过第一测试点(P1)、第...