半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供器件晶圆，并将器件晶圆放置于反应腔内；向反应腔内通入正硅酸乙酯、磷酸三乙酯和硼酸三乙酯，经过反应，在器件晶圆的表面形成BPSG薄膜；向反应腔内通入臭氧，使得残留的正硅酸乙酯、磷酸三乙酯和硼酸三乙酯经过反应形成BPSG物质，并且附在BPSG薄膜的表面；在BPSG薄膜的表面形成PE TEOS薄膜；清洗PE TEOS薄膜；依次刻蚀PE TEOS薄膜、BPSG薄膜进和部分厚度的器件晶圆，以形成若干个间隔的孔洞，向孔洞内填充金属，以形成接触孔。本发明专利技术改善了BPSG薄膜的质量，进一步地改善了接触孔漏电的情况，提升了产品质量。提升了产品质量。提升了产品质量。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种半导体器件的形成方法。

技术介绍

[0002]在制作具有高度集成结构的半导体器件时，由于高度集成化而在半导体器件表面形成许多凹凸不平的不规则形状，结果使半导体器件具有强烈的地志形貌，由此提供平整的表面，可以通过用绝缘薄膜填满这些不平之处来消除不规则形状，这样，提出了一种平整化方法，它采用加以高浓度硼(B)和磷(P)的BPSG膜。把BPSG膜涂在不平整的半导体器件表面上，随后在高温下热处理，从而使表面变得平整。BPSG(boro
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phospho
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silicate
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glass，硼磷硅玻璃)是掺杂了硼和磷的二氧化硅，由于硼磷杂质的加入使二氧化硅原有的有序网络结构变得疏松，在高温条件下某种程度上BPSG具有像液体一样的流动能力，对孔洞有良好的填充能力，并提高了整个平面的平坦性。
[0003]现有技术中，采用正硅酸乙酯、磷酸三乙酯和硼酸三乙酯形成BPSG薄膜，然而在形成BPSG薄膜之后，管道中残留的正硅酸乙酯、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆，并将所述器件晶圆放置于反应腔内；向所述反应腔内通入正硅酸乙酯、磷酸三乙酯和硼酸三乙酯，经过反应，在所述器件晶圆的表面形成BPSG薄膜；向所述反应腔内通入臭氧，使得残留的正硅酸乙酯、磷酸三乙酯和硼酸三乙酯经过反应形成BPSG物质，并且附在所述BPSG薄膜的表面；在所述BPSG薄膜的表面形成PE TEOS薄膜；使用光刻胶依次刻蚀所述PE TEOS薄膜、BPSG薄膜进和部分厚度的器件晶圆，以形成若干个间隔的孔洞，并且清洗掉光刻胶；以及向所述孔洞内填充金属，以形成接触孔。2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述器件晶圆包括：衬底；以及第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构和第二栅极结构均位于所述衬底的表面，并且第一栅极结构和第二栅极结构具有一定的间隔。3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，向所述反应腔内通入臭氧，使得管路中残留的正硅酸乙酯、磷酸三乙酯...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔永鹏，田守卫，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：