半导体器件及其制程方法技术

本申请实施例提供一种半导体器件及其制程方法。该半导体器件的制程方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成栅极；在半导体衬底上形成应力膜层，对应力膜层进行退火处理，并去除应力膜层；在去除应力膜层后的栅极两侧的半导体衬底中分别形成轻掺杂区域。该制程方法能够大大提高施加于栅极的有效应力，且不会对后续形成的轻掺杂区域造成影响。不会对后续形成的轻掺杂区域造成影响。不会对后续形成的轻掺杂区域造成影响。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制程方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，特别是涉及一种半导体器件及其制程方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，半导体器件，例如互补金属氧化物半导体器件(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)，得到了广泛应用。
[0003]目前，在CMOS器件的制造过程中，为了保证集成电路在较小的工作电压下能够保持较好的性能，一般将应力施加于MOS晶体管上，从而引起晶格应变，以提高载流子(电子或者空穴)的迁移率。然而，由于现有CMOS器件的制造过程中，其应力膜通过MOS晶体管两侧的介质侧墙施加应力于MOS晶体管，导致施加于MOS晶体管上的有效应力较低。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供的半导体器件及其制程方法，旨在解决现有的半导体器件的制程方法，其施加于MOS晶体管上的有效应力较低的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种半导体器件的制程方法。该制程方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制程方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极；在所述半导体衬底上形成应力膜层，对所述应力膜层进行退火处理，并去除所述应力膜层；在去除所述应力膜层后的所述栅极两侧的所述半导体衬底中分别形成轻掺杂区域。2.根据权利要求1所述的制程方法，其特征在于，所述半导体器件为MOS器件，响应于所述半导体器件为nMOS器件，所述应力膜层为拉应力膜层；响应于所述半导体器件为pMOS器件，所述应力膜层为压应力膜层。3.根据权利要求1所述的制程方法，其特征在于，所述半导体器件为CMOS器件，提供的所述半导体衬底包括第一类型阱区和第二类型阱区；其中，在所述半导体衬底上形成应力膜层，对所述应力膜层进行退火处理，并去除所述应力膜层的步骤，包括：在所述半导体衬底上形成所述应力膜层，对所述第一类型阱区和/或所述第二类型阱区对应的所述应力膜层进行退火处理，并去除所述应力膜层。4.根据权利要求3所述的制程方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成所述应力膜层，对所述第一类型阱区和/或所述第二类型阱区对应的所述应力膜层进行退火处理，并去除所述应力膜层的步骤，包括：在所述半导体衬底上形成所述应力膜层并进行固化，其中，所述应力膜层包裹所述第一类型阱区对应的第一类型栅极和所述第二类型阱区对应的第二类型栅极；去除所述第二类型阱区上的所述应力膜层；对所述第一类型阱区上残留的所述应力膜层进行退火处理，并去除残留的所述应力膜层；其中，所述第一类型阱区用于形成nMOS器件，所述应力膜层为拉应力膜层。5.根据权利要求3所述的制程方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成所述应力膜层并对所述第一类型阱区和/或所述第二类型阱区对应的所述应力膜层进行退火处理的步骤，包括：在所述半导体衬底上形成所述应力膜层并进行固化，其中，所述应力膜层包裹所述第一类型阱区对应的第一类型栅极和所述第二类型阱区对应的第二类型栅极；去除所述第一类型阱区上的所述应力膜层；对所述第二类型阱区上残留的所述应力膜层进行退火处理，并去除残留的所述应力膜层；其中，所述第二类型阱区用于形成pMOS器件，所述应力膜层为压应力膜层。6.根据权利要求3所述的制程方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成所述应力膜层并对所述第一类型阱区和/或所述第二类型阱区对应的所述应力膜层进行退火处理的步骤，包括：在所述半导体衬底上形成第一应力膜层并进行固化，其中，所述第一应力膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：程亚杰，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：