NMOS结构、制造方法及半导体器件技术

本发明专利技术提供了一种NMOS结构、制造方法及半导体器件，所述制造方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干个鳍片结构；在鳍片结构表面形成栅氧层，并在鳍片结构之间沉积隔离层，在隔离层和所述鳍片结构的栅氧层上方形成栅极材料层；图形化栅极材料层进行，以形成若干个栅极线条，相邻的栅极线条之间形成栅极间隔槽，在所得结构表面形成侧墙隔离层；形成开口区；在开口区内部从下到上依次形成成核区层、高掺杂区层和覆盖区层，以形成源极或漏极。本发明专利技术的制造方法制得的NMOS结构提高源漏区应力并降低电阻，并有效减少源漏区出现狭缝和生长不均的问题。均的问题。均的问题。

【技术实现步骤摘要】
NMOS结构、制造方法及半导体器件


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种NMOS结构、制造方法及半导体器件。

技术介绍

[0002]随着微电子技术向更高性能发展，互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)集成工艺技术引入诸多新技术，其中在90nm节点引入应变硅技术，应变硅技术已经成为集成电路领域一项能够确实提高晶体管性能的技术。众所周知，在N型金属
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氧化物
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半导体(N
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Metal
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Oxide
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Semiconductor，NMOS)沟道引入张应变，在N型金属
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氧化物
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半导体(P
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Metal
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Oxide
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Semiconductor，PMOS)沟道引入压应变，可以增加沟道中载流子迁移率，进而提高晶体管性能。常见的引入应变的方式，在PMOS器件的源漏区生长SiGe本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NMOS结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干个鳍片结构；在所述鳍片结构表面形成栅氧层，并在所述鳍片结构之间沉积隔离层，在所述隔离层和所述鳍片结构的所述栅氧层上方形成栅极材料层；图形化所述栅极材料层，以形成若干个栅极线条，相邻所述栅极线条之间形成栅极间隔槽，在所得结构表面形成侧墙隔离层；沿着所述栅极间隔槽刻蚀位于所述栅氧层上表面的侧墙隔离层、所述栅氧层和部分所述鳍片结构，以形成开口区；在所述开口区内部从下到上依次形成成核区层、高掺杂区层和覆盖区层，以形成源极或漏极。2.根据权利要求1所述的NMOS结构的制造方法，其特征在于，所述成核区层的形成过程包括：向所述开口区中通入第一生长气源和第一掺杂气源，调节所述第一掺杂气源在当前反应气源中的分压占比至第一阈值，控制反应温度和反应压力，以在所述开口区内壁形成所述成核区层；持续通入所述第一生长气源和所述第一掺杂气源，直至所述成核区层的厚度达到2cm之后，停止通入所述第一生长气源和所述第一掺杂气源。3.根据权利要求2所述的NMOS结构的制造方法，其特征在于，所述成核区层的形成过程中，所述反应温度为600～700摄氏度，所述反应压力为100～600Torr。4.根据权利要求1或2所述的NMOS结构的制造方法，其特征在于，所述高掺杂区层的形成过程包括：向形成所述成核区层的所述开口区内部通入第二生长气源和第二掺杂气源，控制所述第二掺杂气源在当前反应气源中的分压占比为至第二阈值，所述第二阈值大于第一阈值；控制反应温度和反应压力，以在所述成核区层表面形成高掺杂区层，并在所述高掺杂区层的中间位置处形成竖直状的狭缝槽；持续通入所述第二生长气源和所述第二掺杂气源，直至所述高掺杂区层的上表面的生长速率降低到生长阈值后停止通入所述第二生长气源和所述第二掺杂气源。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：武青青，刘轶群，徐振亚，朱建军，胡少坚，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：