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本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供器件晶圆，并将器件晶圆放置于反应腔内；向反应腔内通入正硅酸乙酯、磷酸三乙酯和硼酸三乙酯，经过反应，在器件晶圆的表面形成BPSG薄膜；向反应腔内通入臭氧，使得残留的正硅酸乙酯、磷酸三乙酯和硼酸三...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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