半导体结构及其形成方法技术

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底表面依次交替堆叠有第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和所述第二半导体层被介电墙分隔成第一鳍片和第二鳍片；刻蚀第一鳍片的第二半导体层和第二鳍片的第一半导体层的两侧壁，形成凹进部；在所述第一鳍片的第一半导体层、侧墙的侧壁形成第一介质层，在所述第二鳍片的第二半导体层、侧墙的侧壁形成第二介质层；在所述第一介质层和所述第二介质层表面形成第三介质层，所述第三介质层的顶面和所述伪栅结构的顶面共面；去除所述伪栅结构；以及，去除所述第一鳍片的第二半导体层和所述第二鳍片的第一半导体层。本申请技术方案的半导体结构及其形成方法，可以形成Forksheet器件。可以形成Forksheet器件。可以形成Forksheet器件。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的临界尺寸降至16/14nm节点之后，器件结构也从传统的平面结构转向FinFET结构。然而，从4/3nm节点开始，FinFET将被GAA(Gate-All-Around，环绕式栅极)结构取代，而第一代GAA将采用硅纳米片(Nanosheet)。但是，对于Nanosheet而言，其工艺限制了n型器件和p型器件之间的间距，致使所述Nanosheet结构要消耗较多的器件空间。
[0003]基于此，一种新的半导体器件结构(Forksheet，叉形片器件)被提出，所述Forksheet结构被认为是Nanosheet结构的自然延伸，可用于3nm以下的半导体器件结构。与Nanosheet相比，Forksheet器件的沟道由叉形栅极结构控制，这是通过在栅极图案化之前在PMOS和NMOS器件之间引入介电墙(Dielectric Wall)来实现的。该介电墙将p栅极沟槽与n栅极沟槽物理隔离，从而允许更紧密的n到p间距，这是F本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面依次交替堆叠有第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层被介电墙分隔成第一鳍片和第二鳍片，所述第一鳍片和所述第二鳍片的表面、侧壁及所述介电墙的表面、所述衬底的部分表面覆盖有伪栅结构；在所述伪栅结构的宽度方向，刻蚀所述第一鳍片的第二半导体层和所述第二鳍片的第一半导体层的两侧壁，形成凹进部；在所述凹进部中形成侧墙；在所述第一鳍片的第一半导体层、侧墙的侧壁形成第一介质层，在所述第二鳍片的第二半导体层、侧墙的侧壁形成第二介质层；在所述第一介质层和所述第二介质层表面形成第三介质层，所述第三介质层的顶面和所述伪栅结构的顶面共面；去除所述伪栅结构；以及，去除所述第一鳍片的第二半导体层和所述第二鳍片的第一半导体层，其余的第一半导体层和第二半导体层分别间隔分布在所述介电墙的两侧壁，且所述第一半导体层和所述第二半导体层交替排列。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一鳍片、所述第二鳍片的底层和顶层均为第一半导体层。3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一半导体层与所述第二半导体层的材料不同，所述第一半导体层与所述衬底的材料不同。4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底、所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料包括硅、锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓、锑化铟、磷化镓、锑化镓、砷铟化铝、铟砷化镓、磷化锑镓或磷化铟中的至少一种。5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一半导体层和所述第二半导体层的两侧壁。6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料包括SiOCN、SiOC、SiO2、SiN和SiON中的至少一种。7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层和所述第二半导体层的材料不同，所述第二介质层和所述第一半导体层的材料不同。8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层的材料包括Si、Ge、SiGe、SiC、SiOCN、SiOC、SiO2、SiN和SiON中的至少一种。9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅结构表面还包括掩膜层，形成所述第三介质层的工艺包括：在所述第一介质层、所述第二介质层及所述掩膜层的表面沉积第三介质材料；研磨所述第三介质材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，王艳良，苏博，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：