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本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底表面依次交替堆叠有第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和所述第二半导体层被介电墙分隔成第一鳍片和第二鳍片；刻蚀第一鳍片的第二半导体层和第二鳍片的第一半导体层的两侧壁，形成...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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