发光器件及其制造方法技术

本发明专利技术了公开一种发光器件及其制造方法。发光器件具有一种结构，其中衬底、ｎ－型覆盖层、发光层、ｐ－型覆盖层、欧姆接触层和反射层被依次堆积。欧姆接触层通过在氧化铟中加入附加元素而形成。根据所述的发光器件及其制造方法，改善了与Ｐ－型覆盖层的欧姆接触特性，因此提高了在封装ＦＣＬＥＤＳ过程中的效率和丝焊合格率。而且，由于具有低无接触电阻和优良的电流及电压特性，可以增加发光器件的发光效率和使用寿命。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及具有欧姆特性得到改进的反射电极结构的。
技术介绍
在使用如氮化镓(GaN)半导体的氮化物半导体的发光二极管和激光二极管的发光器件的制造中，重要的是在半导体与电极之间构造欧姆接触结构。当前，市售的GaN发光器件大部分构造在蓝宝石(Al2O3)衬底上。这种GaN发光器件分为顶部发光的发光二极管(TLEDS)和倒装芯片发光二极管(FCLEDS)。TLEDS通过直接与P-型覆盖层(clad layer)接触的欧姆接触层发光，此时P-型覆盖层的低电导率使电流注入可以无阻碍地通过具有低欧姆值的透明欧姆接触层。TLEDS通常具有在p-型覆盖层上依次堆积的一个镍(Ni)层和一个金(Au)层的结构。众所周知，通过在O2气氛中退火，Ni层形成具有特征接触电阻(specificcontact resistance)为10-3到10-4Ωcm的半透明欧姆接触层。当在O2气氛中以500-600℃进行退火时，低特征接触电阻的半透明欧姆接触层形成于Ni层和GaN形成的p-型覆盖层之间及Ni层和Au层之间，从而导致肖特基载流子高度(SBH)降低，并且易于在p-型覆盖层的表面周围获得空穴以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在ｎ－型覆盖层与ｐ－型覆盖层之间具有发光层的发光器件，所述发光器件包括：反射发光层发射的光的反射层；和通过向反射层与ｐ－型覆盖层之间的氧化铟中加入附加元素形成的欧姆接触层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋俊午，林东皙，成泰连，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，光州科学技术院，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]