氮化物基发光器件及其制造方法技术

提供了一种氮化物基发光器件和制造该器件的方法。该发光器件包括一个衬底，和在该衬底上依次形成的ｎ型覆层、有源层、ｐ型覆层、网格单元层和欧姆接触层。该网格单元层由埋在欧姆接触层中的尺寸小于３０微米的离散的且导电的颗粒型单元构成。该氮化物基发光器件和制造该器件的方法对ｐ型覆层上的欧姆接触特性作了改进，从而增加了器件的发光效率和使用寿命，同时由于省略去薄膜生长之后的活化工艺而简化了制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氮化物基发光器件和一种制造该器件的方法，更具体地说，本专利技术涉及一种具有一为提高发光效率而设计的电极结构的氮化物基发光器件和一种制造该器件的方法。
技术介绍
n型电极和p型电极之间的欧姆接触在制作发光器件如采用氮化镓(GaN)半导体的发光二极管(LED)或激光二极管(LD)中非常重要。特别是p型覆层和电极之间的欧姆接触结构对氮化物基发光器件的性能而言是至关重要的。GaN基的LED分为顶发射(top-emitting)LED(TLED)和倒装晶片(flip-chip)LED(FCLED)。由于在通常使用的TLED中，光通过与p型覆层接触的p型欧姆电极层发射出去，因此TLED需要具有高透光率、低的比接触电阻(specific contact resistivity)和低薄层电阻的p型欧姆电极层。由于在FCLED设计中光是通过透明的绝缘衬底发射出去的，因此与p型覆层接触的p型欧姆电极层必须具有高反光率、低的比接触电阻和低薄层电阻。但是由于大多数电极材料光和电特性存在逆关系(inverse relationship)且电特性差，如低电流注入和p型覆层的电流扩散，因此难本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在ｎ型和ｐ型覆层之间具有有源层的氮化物基发光器件，该器件包括：形成在所述ｐ型覆层上的网格单元层，该网格单元层包括由尺寸小于３０微米的导电材料形成的且离散的颗粒型单元；以及形成在所述ｐ型覆层和网格单元层之上的欧姆接触层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：成泰连，金庆国，宋俊午，林东晳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，光州科学技术院，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]