衬底的分割方法技术

本发明专利技术的目的是提供一种衬底的分割方法，通过该方法，可在不会产生芯片缺陷的情况下，进行衬底分割，使芯片形状再现性良好且接近四边形，并且可以再现性良好地形成平坦的解理面，在衬底表面２上，照射使衬底的内部产生错位的强电子束（１），产生以错位为起点的裂缝，从而形成解理面（５），来分割衬底。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，其可适用于例如由氮化物半导体构成的半导体激光元件、发光二极管或者场效应晶体管集成电路的制造方法中。
技术介绍
结构式AlxGa1-x-yInyN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1、0≤x+y+z≤1)所示的GaN类氮化物半导体(下记为InGaAlN)，具有较宽的禁带宽度(GaN在室温下的禁带宽度为3.4eV)是在绿色、蓝色的可视区域或者称为紫外的波长范围内可实现高输出功率发光二极管的材料，通过由蓝色发光二极管激发荧光体而得到白色光的白色发光二极管被广泛应用。另外，作为下一代高密度光盘系统用光源的、使用氮化物半导体的蓝紫色半导体激光元件也已商品化。另外，氮化物半导体因其较大的饱和漂移速度或者高耐压的特性，有望用于将来的高频高输出功率电子器件，因而正活跃进行研究开发。通常，在氮化物半导体的晶体生长过程中，使用称作蓝宝石衬底或者SiC衬底的非常坚硬的衬底，采用通过有机金属气相生长法(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition；MOCVD法)在该衬底上外延生长器件结构的方法。另外，最近，开发出一种通过氢化物气相生长法(Hydride本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底的分割方法，其特征在于，在上述衬底的前面照射使该衬底的内部产生错位的强电子束，产生以上述错位为起点的裂缝，从而分割上述衬底。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：上田哲三，上田大助，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]