SOI衬底的制造方法技术

本发明专利技术的目的之一在于：提供一种可以减少贴合不良，并可以形成大面积的单晶半导体膜的ＳＯＩ衬底的制造方法。一种ＳＯＩ衬底的制造方法，其步骤如下：在形成有多个第一单晶半导体膜的第一衬底上形成用作接合层的第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行平坦化之后，在第一绝缘膜上贴合单晶半导体膜并进行热处理以形成第二单晶半导体膜；接下来，将第一和第二单晶半导体膜用作种子层形成第三单晶半导体膜；在通过对第三单晶半导体膜引入离子形成脆化层之后，在第三单晶半导体膜上形成用作接合层的第二绝缘膜；将第二衬底贴合在第二绝缘膜上并进行热处理；夹着第二绝缘膜在第二衬底上固定第三单晶半导体膜的一部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种SOI(绝缘体上硅)衬底的制造方法以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
近年，随着LSI技术的飞跃发展，能够实现高速化、低耗电化 的SOI结构备受关注。该技术是在现有由块状单晶硅形成的场效应晶 体管(FET; Field Effect Transistor )的有源区域(沟道形成区域) 中使用单晶硅薄膜的技术。已知通过使用SOI结构制造MOS型场效 应晶体管，与现有的使用块状单晶硅衬底的情况相比其寄生电容小， 而有利于高速化。作为具有SOI结构的村底(以下，称为SOI衬底)，可以举出 SIMOX神底、贴合衬底等。例如，SIMOX衬底是通过对单晶硅衬底 注入氧离子且在1300。C以上进行热处理以形成氧化埋层(BOX)，从而 在表面上形成单晶硅膜来获得SOI结构的。在制造SIMOX衬底时， 由于可以对氧离子的注入进行精密的控制从而可以控制性良好地形 成膜厚度均匀的单晶硅膜，但由于氧离子的注入需要的时间较长，因 此在时间和成本方面存在问题。另外，还存在在注入氧离子的过程中 较易对单晶硅膜造成损伤的问题。作为贴合衬底，通过夹着氧化膜将两个单晶硅衬底(支撑衬底以 及接合衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＯＩ衬底的制造方法，包括如下步骤：　在具有绝缘表面的第一衬底上以互相分开的形式形成多个第一单晶半导体膜；　在所述多个第一单晶半导体膜上形成半导体膜；　对所述半导体膜进行平坦化处理，以使所述第一单晶半导体膜露出；　 　在所述第一单晶半导体膜以及所述半导体膜上形成第一绝缘膜；　将在预定的深度中形成有第一脆化层的多个单晶半导体衬底，以与所述半导体膜重合的方式重合在所述第一绝缘膜上；　通过热处理在所述第一脆化层进行分离，而在所述第一绝缘膜上形成多 个第二单晶半导体膜；　以所述第二单晶半导体膜为掩模对所述第一绝缘膜进行蚀刻，使所述第一...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：井坂史人，加藤翔，根井孝征，小松立，沟井达也，下村明久，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]