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本发明的目的之一在于：提供一种可以减少贴合不良，并可以形成大面积的单晶半导体膜的ＳＯＩ衬底的制造方法。一种ＳＯＩ衬底的制造方法，其步骤如下：在形成有多个第一单晶半导体膜的第一衬底上形成用作接合层的第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行平坦化之后，在第...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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