氮基半导体激光器件和其生产方法技术

氮基半导体激光器件（１０）具有一种依次堆叠放置的第一接触层（１４），第一包覆层（１６），有源层（２０），第二包覆层（２４），第二接触层（２６）和第二电极（３０）的结构。第二包覆层（２４）包括一个下层（２４Ａ）和上层（２４Ｂ），第一包覆层（１４），有源层（２０）和第二包覆层的下层（２４Ａ）具有台面结构，第二包覆层的上层（２４Ｂ）和第二接触层（２６）具有脊形结构。在对应于台面结构的顶表面的第二包覆层的下层的一部分上形成绝缘层（４０），绝缘层（４０）至少部分覆盖第二包覆层的上层（２４Ｂ）的对侧面，另外，从绝缘层（４０）的顶表面到第二电极（３０）的顶表面上形成金属层（４２），金属层（４２）具有和台面结构基本相同的宽度。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更具体地，涉及到一种具有可控制在所需值的工作电压的并且具有优良的横模稳定性的氮基半导体激光器件，和一种用来生产一种具有可控制在所需值的工作电压的并且具有优良的横模稳定性的氮基半导体激光器，其中生产工艺被简化。
技术介绍
具有在蓝宝石衬底上或者GaN衬底上形成GaN基复合半导体层堆垛结构的GaN基半导体激光器件作为一种光发射器件，发射从紫外区到绿光区的短波长区的光，正在吸引大量的注意。在JP-A-2000-196201中公开的GaN基半导体激光器100的组成将会在后面根据图10被解释，图10显示了传统的折射率导引型GaN基半导体激光器件的横截面示意图。在JP-A-2000-196201中公开的GaN基半导体激光器100具有一种堆垛结构，其中，在一个由例如具有c表面作为主表面的蓝宝石衬底组成的衬底上，由n型GaN组成的第一接触层14，n型AlGaN组成的第一包覆层16，n型InGaN组成的第一光导层18，具有GaN/InGaN多量子阱结构的有源层20，由AlGaN组成的用来阻止有源层20退化的退化阻止层21，p型AlGaN组成的第二包覆层和p型GaN组成的第二接触层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮基半导体激光器件，包括： （Ａ） 形成在衬底上的第一接触层， （Ｂ） 形成在第一接触层上的第一电极， （Ｃ） 形成在第一接触层上的第一包覆层， （Ｄ） 形成在第一包覆层上的有源层， （Ｅ） 形成在有源层上的第二包覆层， （Ｆ） 形成在第二包覆层上的第二接触层，和 （Ｇ） 形成在第二接触层上的第二电极。 第二包覆层包括一个下层和一个上层， 第一接触层、第一包覆层、有源层、第二包覆层和第二接触层均由氮基复合半导体层组成， 第一包覆层、有源层、和第二包覆层的下层具有台面结构， 第二包覆层的上层和第二接触层具有脊形结...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山口恭司，小林高志，小林俊雅，喜岛悟，富冈聪，安斋信一，东条刚，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]