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氮基半导体激光器件（１０）具有一种依次堆叠放置的第一接触层（１４），第一包覆层（１６），有源层（２０），第二包覆层（２４），第二接触层（２６）和第二电极（３０）的结构。第二包覆层（２４）包括一个下层（２４Ａ）和上层（２４Ｂ），第一包覆层（１...
该专利属于索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过索尼株式会社授权不得商用。

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