【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于光通信等的半导体激光装置，特别是，涉及一种使光强分布非对称的半导体激光。
技术介绍
随着采用光纤的公共通信网络的普及，越来越要求低价大信息量的传送。依据这种请求，为了低价修建公共通信网络，增大传送信息量，有必要开发跟已经修建的光纤网络的光学匹配特性好，并且光输出效率高的半导体激光装置。图15是传统的半导体激光器的剖视图。图15中，200表示半导体激光器，202表示p导电型InP衬底(以下，p导电型标为“p-”、n导电型标为“n-”)，204表示p-InP包层，206表示活性区，是由InGaAsP阱层和InGaAsP阻挡层构成的多重量子阱结构的活性层和上下挟持活性层而设置的InGaAsP光约束层所构成。208表示n-InP包层，210表示InP电流阻挡层，212表示n-InP包层，214表示n型电极，216表示p型电极。这种半导体激光器200中，若以p型电极216为正电位，在p型电极216和n型电极214之间施加偏压，则电流有效地集中流过活性区206，能够低电流工作且发光。p-InP包层204与n-InP包层208的折射率比活性区206小，...
【技术保护点】
一种半导体激光装置，其中设有： 第一导电型的半导体衬底； 在所述半导体衬底上设置的第一导电型的第一包层； 在所述第一包层上设置的活性层； 在所述活性层上设置的第二导电型的第二包层；以及 在比所述活性层发出的激光的近场图样的光强实质上为０的位置更靠近所述活性层的部位层叠的、具有０．０５～０．３μｍ厚度的、使光强的分布重心向ｎ侧偏移的半导体层。
【技术特征摘要】
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