具有氮化物系异质结构的器件及其制造方法技术

一种具有氮化物系异质结构的器件，其特征在于：其具有ＩｎＮ本身或以ＩｎＮ为主要成分的氮化物系异质结构，至少一部分上具有氮的极性表面或具有与它相同特性的表面的结晶。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有氮化铟(InN)本身或以InN为主要成分的氮化物系异质结构的光学和/或电子器件(作为光通信用的光源的温度特性好的半导体激光二极管，发光二极管，毫微微秒领域的超高速光控制器件，共鸣隧道二极管，超高速超省电力器件等)及其制造方法。在本说明书中，所谓以InN为主要成分是指材料中含InN在50％以上。另外，所谓氮极性表面或具有与它同样特性的表面是指例如(001)面或(101)面等那样，以有极性作为氮极性的表面，和从该表面在10度以内倾斜的表面。
技术介绍
以氮化镓(GaN)作为主要成分的氮化物半导体，可以利用作为从紫外光至可视光区域中的发光元件和超高速的电子器件用的材料。近年来，InN的能量带隙为0.7ev，比以前的报告值小得多，含有InN的氮化物系异质半导体可涵盖0.7ev以下的极广的能量带隙。因此，含有InN本身或以InN为主要成分的氮化物的器件，可在极广的温度范围内使用，可以利用作为必需有大量图象信息通信的近年来的超高速、超宽带光信息通信时代的光源或中继基地局的超高速大电力放大器等基干的光电子器件的材料。氮化铝/氮化铟/氮化镓(AlN/GaN/InN)系氮化物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吉川明彦，徐科，
申请(专利权)人：千叶大学，
类型：发明
国别省市：