【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光装置,作为一例,涉及适用于向光盘写入数据及从光盘读取数据的光盘用半导体激光装置。
技术介绍
目前,作为光盘用半导体激光装置,使用有端面射出型半导体激光装置。在光盘用半导体激光装置中,需要使用能够在光盘上得到良好的点状的激光,即能够得到良好的放射光形状的激光。在光盘用激光中,存在不适于光盘用的不良的放射光形状,特别是放射光中产生波动的情况。该波动考虑为波导光被波导路部分散射并成为导致波导光和散射光重叠的原因。这种现象特别容易出现在即使将半导体激光装置高输出化也不会产生曲折地使波导路宽度WO缩窄的情况下。参照从上面看到的波导路501的模式说明图即图14说明该机构。当波导光503和散射光505从分开距离Ls的位置射出时,波导光503的电场g(θ)和散射光的电场s(θ)的相位差在2π(Ls·sinθ)/λ的周期内变化。由此,由于相位增强的角度θ和减弱的角度θ周期地出现,故作为一例如图4中实线所示的特性C1,细的波动与水平放射光重叠。另外,图4中虚线所示的特性C2表示没有波动时的水平放射光分布。
技术实现思路
因此,本专利技术的课题提供一种半导体激光 ...
【技术保护点】
一种半体激光装置,其特征在于,包括:脊部,其依次层积下包层、活性层、第一上包层、第二上包层以及电极层;第一侧部,其配置于所述脊部的两外侧,同时,依次层积所述下包层、所述活性层、所述第一上包层以及折射率比所述第一上包层小的埋入层;第二侧部,其配置于所述第一侧部的两外侧,同时,依次层积所述下包层、所述活性层、所述第一上包层以及所述光吸收层,所述光吸收层与所述电极层电接触。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:渡辺昌规,川户伸一,松本晃广,
申请(专利权)人:夏普株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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