电容结构及其制作方法技术

本申请提供一种电容结构及其制作方法。该电容结构包括：衬底、第一电容接触层、下电极层、电容介质层和上电极层，其中，第一电容接触层阵列排布于衬底上，下电极层围绕第一电容接触层侧壁，并沿第一电容接触层背离衬底的方向延伸，电容介质层覆盖衬底上表面、下电极层表面及第一电容接触层上表面，上电极层覆盖电容介质层表面。本申请提供的电容结构及其制作方法，增加了环绕第一电容接触层侧壁的电容面积，从而增大了电容的面积，降低了双面电容结构的阻值。构的阻值。构的阻值。

【技术实现步骤摘要】
电容结构及其制作方法


[0001]本申请涉及存储器制作
，尤其涉及一种电容结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的一种半导体存储器，DRAM通常以一个电容和一个晶体管为一个单元排成二维矩阵，主要的作用原理是利用电容内存储的电荷量来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。随着制程工艺的持续演进，DRAM集成度不断提高，元件尺寸不断缩小，电容存储电荷容量也面临考验。目前，DRAM中的电容多为单面电容结构，单面电容结构限制了单位面积内电容值的提高，为了提高电容的存储电荷容量，现有技术中提出了可以增加电极层表面积的双面电容结构。
[0003]现有的双面电容结构中，电容设置在电容接触层之上，由于下电极板和电容接触层的接触面积小，且电容的面积较小，从而造成双面电容结构的阻值较大。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种电容结构及其制作方法，增大了电容的面积，降低了双面电容结构的阻值。
[0005]第一方面，本申请本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容结构，其特征在于，包括：衬底；第一电容接触层，阵列排布于所述衬底上；下电极层，围绕所述第一电容接触层侧壁，并沿所述第一电容接触层背离所述衬底的方向延伸；电容介质层，覆盖所述衬底上表面、所述下电极层表面及所述第一电容接触层上表面；上电极层，覆盖所述电容介质层表面。2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，还包括：第二电容接触层，位于所述第一电容接触层上表面；所述电容介质层覆盖所述衬底上表面、所述下电极层表面及所述第二电容接触层上表面。3.根据权利要求2所述的电容结构，其特征在于，所述第二电容接触层与所述下电极层电连接，所述第二电容接触层与所述下电极层组成下电极。4.根据权利要求1-3任一项所述的电容结构，其特征在于，所述上电极层包括上电极材料层和上电极填充层，所述上电极材料层覆盖所述电容介质层表面，所述上电极填充层位于所述上电极材料层上表面。5.根据权利要求4所述的电容结构，其特征在于，所述上电极填充层的材料为多晶硅或锗化硅。6.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的电容结构。7.一种电容结构制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成一导电层，并在所述导电层上形成电容堆叠层；图形化所述电容堆叠层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛超军，陆勇，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：