【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体激光器。
技术介绍
在半导体激光器中，通常公知的是光输出的增加可能引起腔端面的损伤，即COD(Catastrophic Optical Damage，灾难性光损伤)。所述COD的原因是与半导体激光器的高功率运行相关的腔端面的温度增加。具体地，具有减少了的发光端面反射率的高功率半导体激光器，发光端面的温度上升将很大，引起在发光端面上发生COD，发光端面是腔端面之一。因而，必须改善在发光端面附近的热辐射。图5显示了在JP2003-31901 A中所述的常规半导体激光器的主要部分的示意透视图。在图5中，去除了一部分常规半导体激光器，以便更容易理解常规半导体激光器的多层结构。如在图5中所示，半导体激光器具有n型GaAs衬底512、在n型GaAs衬底512上形成的主体550、和对于主体550而形成为所谓保护层电极的p侧镀覆电极530。主体550包括n型缓冲层514、n型AlGaInP覆层516、多量子阱有源层518、p型AlGaInP覆层520、p型GaAs接触层522和SiO2膜528，这些形成在n型GaAs衬底512上。在p型AlGaInP覆...
【技术保护点】
一种半导体激光器，包括： 半导体衬底； 主体，形成于所述半导体衬底上并且具有用于发射激光的发光端面；和 镀覆金属层，形成于所述主体上，其中 沿腔方向上，在发光端面附近的镀覆金属层的前端部分的厚度大于所述镀覆金属层的中心部分的厚度。
【技术特征摘要】
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