【技术实现步骤摘要】
确定晶圆缺陷形状的方法、装置、电子设备和存储介质
[0001]本申请涉及晶圆制造
,具体而言,涉及一种确定晶圆缺陷形状的方法、装置、电子设备和存储介质。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工一片或多片晶圆。
[0003]在进行晶圆制造时,晶圆加工设备的生产良率越高,晶圆在加工过程中的缺陷越少,材料损耗也就越小,而提高生产良率最关键的技术在于如何确定加工后晶圆的缺陷形状,从而能够根据缺陷形状确定造成该晶圆缺陷的原因。专利技术人在研究中发现,现有技术中无法对加工后晶圆的缺陷形状进行自动识别,需要人工进行抽样检测。
技术实现思路
[0004]有鉴于此,本申请实施例提供了一种确定晶圆缺陷形状的方法、装置、电子设备和存储介质,以自动确定每个晶圆的缺陷形状,提高确定晶圆缺陷形状的效率。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种确定晶圆缺陷形状的方法,其特征在于,所述方法包括:针对每种规格的目标晶圆图片,将所述目标晶圆图片与该规格下的标准晶圆图片进行比对,获取所述目标晶圆图片中每个缺陷点所在的坐标位置;所述标准晶圆图片为不包含所述缺陷点的图片;根据每个所述坐标位置,按照预设缩放比将每个所述缺陷点投射到目标规格的待分类图片中;所述待分类图片中的缺陷点与投射点一一对应;确定所述待分类图片中任意相邻两点之间的距离小于预设距离的目标点;确定由所述目标点构成的区域的形状,以将所述形状确定为所述目标晶圆的缺陷形状。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在将所述形状确定为所述目标晶圆的缺陷形状之后,所述方法还包括:为所述缺陷形状所在的目标图片标记用于表示所述缺陷形状的图形形状的至少一个图形标签;获取与所述至少一个图形标签表示的图形形状相同的至少一个预设缺陷结果;将所述目标图片与所述至少一个预设缺陷结果进行比对,得到与所述目标图片的相似度最高的目标缺陷结果;将所述目标缺陷结果确定为所述待分类图片的分类结果。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在将所述目标缺陷结果确定为所述待分类图片的分类结果之后,所述方法还包括:针对每个待分类图片,根据为所述待分类图片确定的目标缺陷结果,确定造成所述目标缺陷结果的至少一个原因;确定预设时段内每个所述原因出现的次数;根据每个所述原因出现的次数,对至少一个所述原因进行排序,以得到在所述预设时段内包含所述排序和至少一个所述原因的问题清单。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在得到所述预设时段内的问题清单之后,所述方法还包括:将包含所述问题清单的数据发送到显示终端,以通过所述显示终端显示所述问题清单。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述目标晶圆图片与该规格下的标准晶圆图片进行比对,获取所述目标晶圆图片中每个缺陷点所在的坐标位置,包括:分别获取所述目标晶圆图片、所述标准晶圆图片的第一灰度值图像、第二灰度值图像;针对每个相同位置,确定所述第一灰度值图像中与所述第二灰度值图像中灰度值的差值大于预设差值的目标点;将所述目标点确...
【专利技术属性】
技术研发人员:李钢江,金松,
申请(专利权)人:上海赛美特软件科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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