刷洗装置、晶圆、三维存储器及存储系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种刷洗装置、晶圆、三维存储器及存储系统，刷洗装置用于刷洗晶圆，刷洗装置用于刷洗晶圆，刷洗装置包括：晶圆驱动部，晶圆驱动部与晶圆驱动连接以驱动晶圆转动；清洗刷组件，清洗刷组件包括多组清洗刷，多组清洗刷沿预定方向间隔布置，各组清洗刷均包括分别位于晶圆的相对两侧且绕自身轴线可转动地设置的两个清洗刷，以清洗晶圆的相应的表面；其中，预定方向平行于晶圆的表面。本发明专利技术的刷洗装置解决了现有技术中用于刷洗晶圆的刷洗装置无法将晶圆的边缘的表面刷洗干净的问题。装置无法将晶圆的边缘的表面刷洗干净的问题。装置无法将晶圆的边缘的表面刷洗干净的问题。

【技术实现步骤摘要】
刷洗装置、晶圆、三维存储器及存储系统


[0001]本专利技术涉及半导体晶圆成型
，具体而言，涉及一种刷洗装置、晶圆、三维存储器及存储系统。

技术介绍

[0002]晶圆，是生产半导体集成电路所采用的载体，多指单晶硅圆片，其形状为圆形，在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构，以财务具有特定功能的集成电路产品。
[0003]随着集成电路制造技术的飞速发展，集成电路的特征尺寸不断减小，在小小的一片晶圆上，半导体器件的数量不断增加。为了满足半导体器件数量增多的要求，在一片半导体晶圆上往往包括多层结构的半导体器件，相邻层的半导体器件通过金属互连结构实现电连接，以在具有特定面积的晶圆上增加半导体器件的数量，提高半导体器件的集成度。
[0004]在集成电路的制作过程中，需要在半导体衬底上沉积不同的材料层，并通过化学机械研磨(Chemical Mechanical polishing，简称CMP)等平坦化工艺将材料层去除部分厚度，以在控制各个材料层厚度的同时，提高各个材料层的表面平整度，进而提高后续形成的半导体器件的性能。
[0005]而且，半导体晶圆表在经过化学机械研磨后往往需要通过刷洗装置的清洗刷等来刷洗，以去除化学机械研磨工程中在半导体晶圆表面形成的研磨残留。
[0006]现有技术中，刷洗半导体晶圆的刷洗工艺包括：在晶圆的相组两侧分别设置一个圆柱形的刷子，这两个刷子横跨晶圆的待刷洗表面，且刷子的轴线在半导体晶圆上的投影穿过半导体晶圆的旋转中心。并设置了供液管路来向晶圆表面喷射清洗液，当晶圆在转动的过程中，刷子下压给半导体晶圆表面施加一定的压力，从而全方位地刷洗半导体晶圆表面。
[0007]但是，晶圆的边缘与清洁刷的接触的时间比晶圆的中部与清洁刷的接触的时间要短，而且由于清洁刷与晶圆的表面之间时呈一定夹角设置的，清洁刷只有一端会与晶圆的边缘的紧密接触，无法进行较好地刷洗，因此晶圆的边缘的表面上容易残留未被刷洗的微粒。

技术实现思路

[0008]本专利技术的主要目的在于提供一种刷洗装置、晶圆、三维存储器及存储系统，以解决现有技术中用于刷洗晶圆的刷洗装置无法将晶圆的边缘的表面刷洗干净的问题。
[0009]为了实现上述目的，根据本专利技术的第一方面，提供了一种刷洗装置，刷洗装置用于刷洗晶圆，刷洗装置包括：晶圆驱动部，晶圆驱动部与晶圆驱动连接以驱动晶圆转动；清洗刷组件，清洗刷组件包括多组清洗刷，多组清洗刷沿预定方向间隔布置，各组清洗刷均包括分别位于晶圆的相对两侧且绕自身轴线可转动地设置的两个清洗刷，以清洗晶圆的相应的表面；其中，预定方向平行于晶圆的表面。
[0010]进一步地，各组清洗刷中的两个清洗刷之间呈V型夹角设置，的V型夹角的开口端
的宽度为0.3mm至0.6mm；和/或清洗刷的长度大于或等于晶圆的直径。
[0011]进一步地，多组清洗刷包括第一组清洗刷和第二组清洗刷，第一组清洗刷位于第二组清洗刷远离刷洗装置的支撑基面的一侧。
[0012]进一步地，第一组清洗刷中的各个清洗刷的转动轴线在晶圆的表面上的投影与晶圆的表面的圆心之间的距离为L1，其中，L1小于L2；和/或L1的取值为0mm；和/或第二组清洗刷中的各个清洗刷的转动轴线在晶圆的表面上的投影与晶圆的表面的圆心之间的距离为L2，其中，L2的取值范围为65mm至85mm。
[0013]进一步地，各个清洗刷均包括刷杆，刷杆为圆柱形杆体，刷杆的外周面上设置有用于与晶圆的表面接触以对其进行刷洗的多个刷洗部。
[0014]进一步地，刷洗装置包括供液装置，以用于向晶圆的表面喷射清洗液。
[0015]进一步地，供液装置包括位于多组清洗刷的上方的第一供液部；和/或供液装置包括穿设在清洗刷的刷杆中的第二供液部，刷杆上设置有用于供清洗液流出的喷射孔。
[0016]进一步地，供液装置包括供液管路和设置在供液管路上的喷头，供液管路用于向喷头供应清洗液，喷头用于向晶圆的表面喷射清洗液。
[0017]进一步地，晶圆驱动部包括多个可转动的驱动轮，多个驱动轮环绕晶圆的周向间隔布置，且各个驱动轮均与晶圆的外表面接触，以通过多个驱动轮的转动来驱动晶圆转动。
[0018]根据本专利技术的第二方面，提供了一种晶圆，晶圆采用上述的刷洗装置来进行加工。
[0019]根据本专利技术的第三方面，提供了一种三维存储器，包括由上述的晶圆制作而成的半导体器件。
[0020]根据本专利技术的第四方面，提供了一种存储系统，包括存储控制器和上述的三维存储器，三维存储器被配置为存储数据，存储控制器耦合到三维存储器并被配置为控制三维存储器。
[0021]应用本专利技术的技术方案，本专利技术的刷洗装置用于刷洗晶圆，刷洗装置包括：晶圆驱动部，晶圆驱动部与晶圆驱动连接以驱动晶圆转动；清洗刷组件，清洗刷组件包括多组清洗刷，多组清洗刷沿预定方向间隔布置，各组清洗刷均包括分别位于晶圆的相对两侧且绕自身轴线可转动地设置的两个清洗刷，以清洗晶圆的相应的表面；其中，预定方向平行于晶圆的表面。这样，本专利技术的刷洗装置通过增设更多的清洗刷以对晶圆的不同位置处的表面进行刷洗，避免了晶圆的边缘的表面上容易残留未被刷洗的微粒的现象，解决了现有技术中用于刷洗晶圆的刷洗装置无法将晶圆的边缘的表面刷洗干净的问题。
附图说明
[0022]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供组本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成组本专利技术的不当限定。在附图中：
[0023]图1示出了根据本专利技术的刷洗装置的实施例的结构示意图；
[0024]图2示出了图1所示的刷洗装置的侧视图；以及
[0025]图3示出了图1所示的刷洗装置的清洗刷和晶圆的接触示意图。
[0026]其中，上述附图包括以下附图标记：
[0027]10、晶圆；20、晶圆驱动部；21、驱动轮；201、第一驱动轮；202、第二驱动轮；30、清洗刷组件；301、第一组清洗刷；302、第二组清洗刷；31、刷杆；32、刷洗部；40、供液装置；41、供
液管路；401、第一供液管路；402、第二供液管路；42、喷头；50、清洗液；601、第一接触面；602、第二接触面。
具体实施方式
[0028]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。
[0029]如图1至图3所示，本专利技术提供了一种刷洗装置，刷洗装置用于刷洗晶圆10，刷洗装置包括：晶圆驱动部20，晶圆驱动部20与晶圆10驱动连接以驱动晶圆10转动；清洗刷组件30，清洗刷组件30包括多组清洗刷，多组清洗刷沿预定方向间隔布置，各组清洗刷均包括分别位于晶圆10的相对两侧且绕自身轴线可转动地设置的两个清洗刷，以清洗晶圆10的相应的表面；其中，预定方向平行于晶圆10的表面。
[0030]本专利技术的刷洗装置用于刷洗晶圆10，刷洗装置包括：晶圆驱动部20，晶圆驱动部20与晶圆10驱动连接以驱动晶圆1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种刷洗装置，其特征在于，所述刷洗装置用于刷洗晶圆(10)，所述刷洗装置包括：晶圆驱动部(20)，所述晶圆驱动部(20)与所述晶圆(10)驱动连接以驱动所述晶圆(10)转动；清洗刷组件(30)，所述清洗刷组件(30)包括多组清洗刷，所述多组清洗刷沿预定方向间隔布置，各组所述清洗刷均包括分别位于所述晶圆(10)的相对两侧且绕自身轴线可转动地设置的两个清洗刷，以清洗所述晶圆(10)的相应的表面；其中，所述预定方向平行于所述晶圆(10)的表面。2.根据权利要求1所述的刷洗装置，其特征在于，各组所述清洗刷中的两个所述清洗刷之间呈V型夹角设置，所述的V型夹角的开口端的宽度为0.3mm至0.6mm；和/或所述清洗刷的长度大于或等于所述晶圆(10)的直径。3.根据权利要求1所述的刷洗装置，其特征在于，所述多组清洗刷包括第一组清洗刷(301)和第二组清洗刷(302)，所述第一组清洗刷(301)位于所述第二组清洗刷(302)远离所述刷洗装置的支撑基面的一侧。4.根据权利要求3所述的刷洗装置，其特征在于，所述第一组清洗刷(301)中的各个所述清洗刷的转动轴线在所述晶圆(10)的表面上的投影与所述晶圆(10)的表面的圆心之间的距离为L1，所述第二组清洗刷(302)中的各个所述清洗刷的转动轴线在所述晶圆(10)的表面上的投影与所述晶圆(10)的表面的圆心之间的距离为L2；其中，L1小于L2；和/或L1的取值为0mm；和/或L2的取值范围为65mm至85mm。5.根据权利要求1所述的刷洗装置，其特征在于，各个所述清洗刷均包括刷杆(31)，所述刷杆(31)为圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：王光毅，邬良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：