半导体激光装置制造方法及图纸

技术编号:3313365 阅读:190 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种半导体激光装置,其中第一反射表面设置在从半导体激光元件发射的监测光的光轴上,第二反射表面设置盖部分的内表面上。第一反射表面是倾斜的,从而在光轴上行进的监测光在第一反射表面反射,然后被第二反射表面反射以作为第二反射光入射到光接收元件的光接收表面。因此,光接收表面不但由偏离光轴行进的监测光直接从半导体激光元件入射到,而且由强度比偏离光轴行进的光更大的第二反射光入射到。本发明专利技术增加由光接收表面所接收的光的量,从而增加光接收元件的输出,基于此适当地控制驱动电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体激光装置,其包括用于接收监测光的光接收元件。
技术介绍
即使当为半导体激光装置提供恒定的驱动电流时,半导体激光装置的激光输出也会随着温度而强烈地变化。为了基于自动功率控制(APC)驱动半导体激光装置,即将半导体激光装置的激光输出保持恒定,在从半导体激光装置亮两端发射的激光中,从一端发射的部分被接收为监测光,使用了比如光电二极管的光接收元件,从而基于因此产生的电流来控制提供至半导体激光装置的驱动电流。为了产率和工作效率,通常构建框型半导体激光装置以使得包括监测光的激光的光轴平行于光接收元件的光接收表面。然而,在该结构中,监测光中仅有偏离光轴行进并因此强度较低的部分在光接收元件的光接收表面被检测到。因此,由光接收元件的光接收表面所接收的监测光部分较少,并且光接收元件产生相应较低的输出。这使得难于控制驱动电流,并且可能导致半导体激光装置在太多驱动电流通过其时被击穿。考虑到上述缺点,构造了JP-A-2003-31885所提出的半导体激光装置110作为框型半导体激光装置,如图5所示,其提供有引线框架111,在引线框架111上安装了陶瓷基板113和光接收元件115,半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光装置,包括:半导体激光元件;光接收元件,用于接收从所述半导体激光元件发射的监测光;引线框架,所述半导体激光元件和所述光接收元件安装在其上;第一反射表面,设置在所述监测光的光轴上;以及第二 反射表面,设置在从所述第一反射表面反射的监测光所导致的第一反射光的光轴上,其中,从所述第二反射表面反射的第一反射光所导致的第二反射光入射到所述光接收元件的光接收表面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:西山伸宏
申请(专利权)人:夏普株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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