【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及表面发射激光器阵列、包括该表面发射激光器阵列的光学扫 描装置、以及包括该表面发射激光器阵列的图像形成装置。
技术介绍
在其中集成了表面发射激光器元件的表面发射激光器阵列中，在工作时每个表面发射激光器元件的输出会由于通过从周围表面发射激光器元件吸 收热的温度上升而降低，且表面发射激光器阵列的寿命会缩短。为了克服该问题，需要改善热散逸特性。例如，具有高热导率的材料应被用于半导体布拉格反射器，其置于主要热散逸的侧上。在可以用于GaAs 基板上表面发射激光器元件的半导体布拉格反射器的材料中，AlAs为具有 最高热导率的合适材料之一 。然而，存在这样的情形，执行蚀刻以形成台(mesa)结构的形状从而将 表面发射激光器元件与周围部分电学或空间上分离。这种情况下，尽管不要 求该蚀刻到达布置在基板侧上的下半导体布拉格反射器，通过假设蚀刻底部 到达下半导体布拉格反射器，考虑蚀刻可控制性的问题来实施设计。例如，对于氧化物表面发射激光器元件的情形，与选择性氧化层 (selective oxidation layer)相比需要蚀刻更深以执行选择性氧化。出于防止 电流分散的...
【技术保护点】
一种表面发射激光器阵列，所述表面发射激光器阵列包含多个表面发射激光器元件，所述多个表面发射激光器元件的每一个包括： 第一反射层，形成于基板上以构成半导体布拉格反射器； 共振器，形成为接触所述第一反射层并包含有源层；以及 第二反射层，形成于所述第一反射层上方并接触所述共振器以构成所述半导体布拉格反射器，所述第二反射层中含有选择性氧化层， 其中所述第一反射层在所述有源层侧至少包含低折射率层，所述低折射率层的氧化速率相当于或高于包含在所述第二反射层内的选择性氧化层的氧化速率，所述共振器是由至少包含Ｉｎ的ＡｌＧａＩｎＰＡｓ基材料制成，且每个表面发射激光器元件中的台结构的底部位于所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤俊一，伊藤彰浩，菅原悟，庄司浩义，
申请(专利权)人：株式会社理光，
类型：发明
国别省市：JP
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