一种芯片测试方法、芯片测试设备及系统技术方案

本申请公开了一种芯片测试方法、芯片测试设备及系统，芯片测试方法包括：测量芯片内部二极管的导通电压；根据所述导通电压以及预先确定的所述二极管的压降

【技术实现步骤摘要】
一种芯片测试方法、芯片测试设备及系统


[0001]本申请涉及芯片测试
，具体涉及一种芯片测试方法、芯片测试设备及系统。

技术介绍

[0002]芯片开发过程中，需要对芯片特性进行测试，比如芯片在不同温度以及不同电压下的特性(例如阈值电压、栅源漏电流、漏源漏电流、导通电阻等等)。
[0003]相关技术对于芯片温度的控制，主要是先将加热设备控制到目标温度，实时温度显示在加热设备上，然后将芯片在该目标温度下保温足够的时间(例如1小时)，再进行测试。
[0004]由于测试过程，芯片内部可能会因为测试电流而发热升温，或者由于局部气流波动导致芯片内部温度未达到目标温度，但是上述温度变化又不足以引起加热设备的温度变化(即加热设备上显示的温度不变)，从而导致加热设备上显示的温度与芯片的实际测试温度不相符，测试结果不够准确。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种芯片测试方法、芯片测试设备及系统，可以提高芯片特性测试的准确性。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种芯片测试方法，包括：
[0007]测量芯片内部二极管的导通电压；
[0008]根据所述导通电压以及预先确定的所述二极管的压降
‑
结温标定方程，确定所述芯片的当前结温；
[0009]若所述当前结温等于当前目标温度，则对所述芯片进行特性测试。
[0010]可选的，所述二极管的压降
‑
结温标定方程的确定方法包括：
[0011]以所述芯片任一数字管脚对应的保护二极管作为所述二极管，在至少三个标定温度下，分别测量所述保护二极管导通时的压降，得到相应数量的压降值；
[0012]根据所述至少三个标定温度和所述相应数量的压降值进行拟合，得到所述二极管的压降
‑
结温标定方程。
[0013]可选的，所述测量所述芯片内部二极管的导通电压，包括：
[0014]每隔预设的时间测量一次所述芯片内部二极管的导通电压。
[0015]可选的，所述根据所述导通电压以及预先确定的所述二极管的压降
‑
结温标定方程，确定所述芯片的当前结温之后，还包括：
[0016]若所述当前结温小于或大于所述当前目标温度，则对所述芯片进行加热或冷却，以使所述当前结温等于所述当前目标温度。
[0017]可选的，所述对所述芯片进行加热或冷却，包括：
[0018]采用吹气装置对所述芯片进行加热或冷却。
[0019]可选的，所述采用吹气装置对所述芯片进行加热或冷却，包括：
[0020]采用吹气装置通过PID控制方法对所述芯片进行加热或冷却。
[0021]可选的，所述若所述当前结温等于当前目标温度，则对所述芯片进行特性测试，包括：
[0022]若所述当前结温等于当前目标温度，则在多个目标电压下依次对所述芯片进行特性测试；
[0023]完成所述当前目标温度下多个目标电压下的芯片特性测试后，将下一个目标温度设置为所述当前目标温度，并返回至所述测量芯片内部二极管的导通电压，直至完成在所有目标温度和所有目标电压下对所述芯片的特性测试。
[0024]可选的，所述若所述当前结温等于当前目标温度，则对所述芯片进行特性测试之后，还包括：
[0025]对所述芯片进行加热或冷却，以使所述芯片当前的结温等于取出温度。
[0026]第二方面，本申请实施例提供一种芯片测试设备，包括：
[0027]测试模块，用于测量芯片内部二极管的导通电压；
[0028]第一控制模块，用于根据所述导通电压以及预先确定的所述二极管的压降
‑
结温标定方程，确定所述芯片的当前结温；
[0029]所述测试模块，还用于若所述当前结温等于当前目标温度，则对所述芯片进行特性测试。
[0030]可选的，所述测试模块，还用于以所述芯片任一数字管脚对应的保护二极管作为所述二极管，在至少三个标定温度下，分别测量所述保护二极管导通时的压降，得到相应数量的压降值；
[0031]所述第一控制模块，还用于根据所述至少三个标定温度和所述相应数量的压降值进行拟合，得到所述二极管的压降
‑
结温标定方程。
[0032]第三方面，本申请实施例提供一种芯片测试系统，包括如上所述的芯片测试设备，以及与所述芯片测试设备连接的温控设备；
[0033]所述温控设备，用于若所述当前结温小于或大于所述当前目标温度时，则对所述芯片进行加热或冷却，以使所述当前结温等于所述当前目标温度。
[0034]可选的，所述温控设备包括第二控制模块和温控模块，
[0035]所述第二控制模块与所述第一控制模块连接，用于若所述当前结温小于或大于所述当前目标温度，则控制所述温控模块对所述芯片进行加热或冷却，以使所述当前结温等于所述当前目标温度。
[0036]可选的，所述第二控制模块包括PID控制器，所述PID控制器与所述温控模块连接，用于控制所述温控模块对所述芯片进行加热或冷却。
[0037]可选的，所述温控模块为吹气装置。
[0038]本申请实施例首先测量芯片内部二极管的导通电压，然后根据导通电压以及预先确定的所述二极管的压降
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结温标定方程，确定芯片的当前结温，若当前结温等于当前目标温度，则对芯片进行特性测试。由于芯片内部二极管的导通电压与芯片结温一般成线性关系，因此本申请实施例可以根据芯片内部二极管的导通电压来确定芯片当前结温，该方法可以更准确的获取芯片内部的温度。并且测试过程中，测试电流引起芯片结温的上升可以
通过芯片内部二极管的导通电压进行及时反馈，而传统的采用温控设备上显示的温度当作芯片内部的温度，则不能及时反馈芯片内部的温度变化，因此本申请实施例提高了芯片特性测试的准确性(或者精度)。
附图说明
[0039]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其有益效果显而易见。
[0040]图1是本申请实施例一提供的一种芯片测试方法的流程示意图。
[0041]图2是本申请实施例提供的一种芯片内部二极管的导通电压的测试原理图。
[0042]图3是本申请实施例二提供的一种芯片测试方法的流程示意图。
[0043]图4为本申请实施例提供的在当前目标温度下对芯片进行特性测试时的测试控制逻辑示意图。
[0044]图5为本申请实施例三提供的一种芯片测试设备的结构示意图。
[0045]图6为本申请实施例四提供的一种芯片测试系统的结构示意图。
[0046]图7为本申请实施例五提供的另一种芯片测试系统的结构示意图。
具体实施方式
[0047]请参照图示，其中相同的组件符号代表相同的组件，本申请的原理是以实施在一适当的运算环境中来举例说明。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。
[0048]请本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片测试方法，其特征在于，包括：测量芯片内部二极管的导通电压；根据所述导通电压以及预先确定的所述二极管的压降
‑
结温标定方程，确定所述芯片的当前结温；若所述当前结温等于当前目标温度，则对所述芯片进行特性测试。2.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述二极管的压降
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结温标定方程的确定方法包括：以所述芯片任一数字管脚对应的保护二极管作为所述二极管，在至少三个标定温度下，分别测量所述保护二极管导通时的压降，得到相应数量的压降值；根据所述至少三个标定温度和所述相应数量的压降值进行拟合，得到所述二极管的压降
‑
结温标定方程。3.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述测量所述芯片内部二极管的导通电压，包括：每隔预设的时间测量一次所述芯片内部二极管的导通电压。4.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述根据所述导通电压以及预先确定的所述二极管的压降
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结温标定方程，确定所述芯片的当前结温之后，还包括：若所述当前结温小于或大于所述当前目标温度，则对所述芯片进行加热或冷却，以使所述当前结温等于所述当前目标温度。5.根据权利要求4所述的芯片测试方法，其特征在于，所述对所述芯片进行加热或冷却，包括：采用吹气装置对所述芯片进行加热或冷却。6.根据权利要求5所述的芯片测试方法，其特征在于，所述采用吹气装置对所述芯片进行加热或冷却，包括：采用吹气装置通过PID控制方法对所述芯片进行加热或冷却。7.根据权利要求4所述的芯片测试方法，其特征在于，所述若所述当前结温等于当前目标温度，则对所述芯片进行特性测试，包括：若所述当前结温等于当前目标温度，则在多个目标电压下依次对所述芯片进行特性测试；完成所述当前目标温度下多个目标电压下的芯片特性测试后，将下一个目标温度设置为所述当前目标温度，并返回至所述测量芯片内部二极管的导通电压，直至完...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱宁仪，
申请(专利权)人：宁波奥拉半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：