一种芯片测试方法、芯片测试设备及系统技术方案

本申请公开了一种芯片测试方法、芯片测试设备及系统，芯片测试方法包括：测量芯片内部二极管的导通电压；根据所述导通电压以及预先确定的所述二极管的压降

【技术实现步骤摘要】
一种芯片测试方法、芯片测试设备及系统


[0001]本申请涉及芯片测试
，具体涉及一种芯片测试方法、芯片测试设备及系统。

技术介绍

[0002]芯片开发过程中，需要对芯片特性进行测试，比如芯片在不同温度以及不同电压下的特性(例如阈值电压、栅源漏电流、漏源漏电流、导通电阻等等)。
[0003]相关技术对于芯片温度的控制，主要是先将加热设备控制到目标温度，实时温度显示在加热设备上，然后将芯片在该目标温度下保温足够的时间(例如1小时)，再进行测试。
[0004]由于测试过程，芯片内部可能会因为测试电流而发热升温，或者由于局部气流波动导致芯片内部温度未达到目标温度，但是上述温度变化又不足以引起加热设备的温度变化(即加热设备上显示的温度不变)，从而导致加热设备上显示的温度与芯片的实际测试温度不相符，测试结果不够准确。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种芯片测试方法、芯片测试设备及系统，可以提高芯片特性测试的准确性。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种芯片测试方法，包括：<br/>[0007]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片测试方法，其特征在于，包括：测量芯片内部二极管的导通电压；根据所述导通电压以及预先确定的所述二极管的压降
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结温标定方程，确定所述芯片的当前结温；若所述当前结温等于当前目标温度，则对所述芯片进行特性测试。2.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述二极管的压降
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结温标定方程的确定方法包括：以所述芯片任一数字管脚对应的保护二极管作为所述二极管，在至少三个标定温度下，分别测量所述保护二极管导通时的压降，得到相应数量的压降值；根据所述至少三个标定温度和所述相应数量的压降值进行拟合，得到所述二极管的压降
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结温标定方程。3.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述测量所述芯片内部二极管的导通电压，包括：每隔预设的时间测量一次所述芯片内部二极管的导通电压。4.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述根据所述导通电压以及预先确定的所述二极管的压降
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结温标定方程，确定所述芯片的当前结温之后，还包括：若所述当前结温小于或大于所述当前目标温度，则对所述芯片进行加热或冷却，以使所述当前结温等于所述当前目标温度。5.根据权利要求4所述的芯片测试方法，其特征在于，所述对所述芯片进行加热或冷却，包括：采用吹气装置对所述芯片进行加热或冷却。6.根据权利要求5所述的芯片测试方法，其特征在于，所述采用吹气装置对所述芯片进行加热或冷却，包括：采用吹气装置通过PID控制方法对所述芯片进行加热或冷却。7.根据权利要求4所述的芯片测试方法，其特征在于，所述若所述当前结温等于当前目标温度，则对所述芯片进行特性测试，包括：若所述当前结温等于当前目标温度，则在多个目标电压下依次对所述芯片进行特性测试；完成所述当前目标温度下多个目标电压下的芯片特性测试后，将下一个目标温度设置为所述当前目标温度，并返回至所述测量芯片内部二极管的导通电压，直至完...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱宁仪，
申请(专利权)人：宁波奥拉半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：