【技术实现步骤摘要】
一种适用于第三代半导体材料兼容硅基等离子去胶机
[0001]本专利技术涉及等离子去胶机
，具体为一种适用于第三代半导体材料兼容硅基等离子去胶机。
技术介绍
[0002]等离子去胶机是一种用于材料科学、电子与通信
的工艺试验仪器，其技术指标600W射频，采用氧等离子轰击样品表面，去除表面残胶，工作原理是将硅片置于真空反应系统中，通入少量氧气，加1500V高压，由高频信号发生器产生高频信号，使石英管内形成强的电磁场，使氧气电离，形成氧离子、活化的氧原子、氧分子和电子等混合物的等离子体的辉光柱，活化氧可以迅速地将聚酰亚胺膜氧化成为可挥发性气体，被机械泵抽走，这样就把硅片上的聚酰亚胺膜去除了，等离子去胶机的优点是去胶操作简单、去胶效率高、表面干净光洁、无划痕、成本低、环保。
[0003]但是，现有技术中，常用的适用于第三代半导体材料兼容硅基等离子去胶机在使用过程中，不具有对待去胶的半导体材料表面进行自动清洁的功能，由于一些半导体材料表面容易存留灰尘杂质，把携带有灰尘杂质的半导体材料直接放入等离子去胶机内，会造成去...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种适用于第三代半导体材料兼容硅基等离子去胶机，包括等离子去胶机本体(1)和底座(2)，其特征在于：所述底座(2)位于所述等离子去胶机本体(1)的下方，所述底座(2)的顶部开设有四个呈两两对称设置的安装槽(3)，所述等离子去胶机本体(1)的底部固定安装有四个支撑柱(4)，四个所述支撑柱(4)的底端分别滑动安装在相对应的所述安装槽(3)内，所述底座(2)的顶部中间位置开设有凹槽(5)，所述等离子去胶机本体(1)的底部固定安装有梯形座(6)，所述梯形座(6)的两侧均为倾斜设置，所述梯形座(6)的底部延伸至所述凹槽(5)内并固定安装有横板(7)，所述等离子去胶机本体(1)和底座(2)之间设置有减震机构，所述等离子去胶机本体(1)的顶部固定安装有清洁箱(18)，所述清洁箱(18)的前侧为开口设置，所述清洁箱(18)的前侧外壁上转动安装有箱门(19)，所述清洁箱(18)的左侧内壁和右侧内壁上均固定安装有电动推杆(20)，两个所述电动推杆(20)的输出轴端均固定安装有夹板(21)，所述清洁箱(18)上设置有清洁机构，等离子去胶机本体(1)的顶部设置有吸尘组件。2.根据权利要求1所述的一种适用于第三代半导体材料兼容硅基等离子去胶机，其特征在于：所述减震机构包括四个第一阻尼垫(8)、四个第一减震弹簧(9)、第二阻尼垫(10)、多个第二减震弹簧(11)、两个矩形滑板(13)、两个横杆(14)、两个圆球(15)、两个第三阻尼垫(16)和两个第三减震弹簧(17)，四个所述第一阻尼垫(8)均固定安装在所述底座(2)的顶部，四个所述第一减震弹簧(9)的底端分别与相对应的所述第一阻尼垫(8)固定连接，四个所述第一减震弹簧(9)的顶端均与所述等离子去胶机本体(1)的底部固定连接，四个所述第一减震弹簧(9)分别套设在相对应的所述支撑柱(4)上，所述第二阻尼垫(10)固定安装在所述凹槽(5)的底部内壁上，多个所述第二减震弹簧(11)的底端均与所述第二阻尼垫(10)固定连接，多个所述第二减震弹簧(11)的顶端均与所述横板(7)的底部固定连接，所述凹槽(5)的两侧内壁上均开设有矩形滑槽(12)，两个所述矩形滑板(13)分别滑动安装在相对应的所述矩形滑槽(12)内，两个所述横杆(14)分别固定安装在两个所述矩形滑板(13)相互靠近的一侧，两个所述横杆(14)相互靠近的一端分别延伸至相对应的所述矩形滑槽(12)外，两个所述圆球(15)分别固定安装在两个所述横杆(14)相互靠近的一端，两个所述圆球(15)分别与所述梯形座(6)的两侧倾斜面接触，两个所述第三阻尼垫(16)分别固定安装在两个所述矩形滑板(13)相互远离的一侧，两个所述第三减震弹簧(17)分别位于相对应的所述矩形滑槽(12)内，两个所述第三减震弹簧(17)相互靠近的一端分别与相对应的所述第三阻尼垫(16)固定连接，两个所述第三减震弹簧(17)相互远离的一端分别与相对应所述矩形滑槽(12)的一侧内壁固定连接。3.根据权利要求1所述的一种适用于第三代半导体材料兼容硅基等离子去胶机，其特征在于：所述安装槽(3)的两侧内壁上均开设有限位槽，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：马东，李晓玲，
申请(专利权)人：无锡小迪电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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