结合真空吸附的静电吸附机构制造技术

本实用新型专利技术提供一种结合真空吸附的静电吸附机构，所述结合真空吸附的静电吸附机构包括：静电吸盘、真空吸附电路、静电吸附电路以及控制器。通过在现有技术的真空吸附机构中，替换掉真空吸盘的材质，换成静电吸盘的材质，增加橡胶圈、电路以及控制器，制备成一种结合真空吸附的静电吸附机构，以解决现有技术中腔体抽真空后，吸盘吸附不牢固导致产品翘曲，以及翘曲产品吸附难度大的问题；保证差异性工艺产品正常作业，确保产线正常进行；增强机构可操作性，以及提升作业稳定性，可适用于全自动化生产。生产。生产。

【技术实现步骤摘要】
结合真空吸附的静电吸附机构


[0001]本技术涉及一种半导体工艺制备领域，特别是涉及一种结合真空吸附的静电吸附机构。

技术介绍

[0002]在半导体工艺制备过程中，真空吸附机构中晶圆(或其他产品)需要靠真空吸附的气压压力固定在吸盘上进行作业。真空吸附机构的腔体未作业时是在大气压状态下，开始作业时真空吸附开启，此时晶圆受到气压压力的束缚，吸附在真空吸盘上；当腔体抽真空后，晶圆晶背和晶面的压力形成平衡，晶圆受到向下的压力减小或消失，真空吸盘吸附不牢固，作业时容易导致晶圆翘曲，严重影响产线运行及产品良率。另外，随着半导体芯片制造技术的飞速发展，晶圆的尺寸越来越大，单个晶圆上制作的芯片数量越来越多，器件的集成密度也越来越大，这也导致晶圆的翘曲度问题越来越突出，导致对晶圆的吸附难度加大，而给晶圆的后续作业带来不便。
[0003]鉴于以上，有必要提供一种结合真空吸附的静电吸附机构，来应对各种差异性工艺半导体产品，以解决现有技术中腔体抽真空后，吸盘吸附不牢固导致产品翘曲；以及对翘曲产品吸附难度大的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于以上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结合真空吸附的静电吸附机构，其特征在于，所述静电吸附机构包括：静电吸盘，所述静电吸盘上设置有依次嵌套的沿周向分布的两个以上吸附槽，其中，至少一个所述吸附槽内设置有橡胶圈，以实现对待作业产品进行真空预吸附和静电主吸附；静电吸附电路及真空吸附电路，分别与所述静电吸盘电连接；控制器，与所述静电吸附电路及所述真空吸附电路电连接，以对所述静电吸附电路及所述真空吸附电路分别进行控制。2.根据权利要求1所述的结合真空吸附的静电吸附机构，其特征在于：所述待作业产品为晶圆。3.根据权利要求1所述的结合真空吸附的静电吸附机构，其特征在于：所述静电吸盘的材质为氮化铝陶瓷。4.根据权利要求1所述的结合真空吸附的静电吸附机构，其特征在于：所述静电吸盘上表面的形状为圆形；所述吸附槽的形状为圆环。5.根据权利要求4所述的结合真空吸附的静电吸附机构，其特征在于：所述吸附...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱海洋，王维斌，薛兴涛，林正忠，李飞，崔尚坤，李龙祥，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：