夹头结构和包括该夹头结构的半导体制造设备制造技术

本公开提供夹头结构和包括该夹头结构的半导体制造设备。半导体制造设备可包括配置成拾取半导体芯片的夹头结构。夹头结构可包括保持器、板、吸引构件和边缘接触部。保持器可配置成向下接收真空。保持器可包括设置在保持器中的磁体。板可以包括与保持器磁性地且机械地结合的上表面。板可包括完全由保持器暴露的侧壁。板可以接收来自保持器的真空。吸引构件可与板接触以使用从板接收的真空拾取半导体芯片。边缘接触部可包括具有第一长度的突出部，该突出部从保持器的底表面的边缘部突出以与板接触。板接触。板接触。

【技术实现步骤摘要】
夹头结构和包括该夹头结构的半导体制造设备


[0001]本专利技术的各种实施方式总体涉及半导体制造系统，尤其涉及用于半导体芯片拾取的夹头结构。本专利技术的各种实施方式还涉及包括夹头结构的半导体制造设备。

技术介绍

[0002]通常，可以通过重复执行一系列半导体制造工艺将半导体器件集成在半导体基板上。半导体基板(即，半导体晶圆)可以包括多个半导体芯片或半导体管芯。在完成半导体制造工艺之后，可以将半导体基板分割成半导体芯片。分割半导体芯片的工艺可以称为切片工艺。分割的半导体芯片可以结合到封装基板。
[0003]从半导体基板分离的半导体芯片可以由传送设备或管芯结合设备的夹头拾取。由夹头拾取的半导体芯片可以传送到封装基板。
[0004]夹头可以包括多个部件。可能需要定期用新部件更换部件。因此，可能需要具有简单结构的夹头。此外，因为夹头可以一个接一个地拾取半导体芯片，所以在由夹头拾取的半导体芯片和相邻的半导体芯片或其它部件之间可能会产生干涉。为了防止由夹头拾取的半导体芯片与相邻半导体芯片或相邻部件之间的碰撞，可能需要具有简单结构的夹头。

技术实现思路

[0005]在本公开的各种实施方式中，提供一种半导体制造设备，其包括配置成拾取半导体芯片的夹头结构。所述夹头结构可包括保持器、板、吸引构件和边缘接触部。保持器可配置成向下接收真空。保持器可以包括设置在保持器中的磁体。板可以包括与保持器磁性地且机械结合的上表面。板可包括完全由保持器暴露的侧壁。板可以接收来自保持器的真空。吸引构件可与板接触以使用从板接收的真空拾取半导体芯片。边缘接触部可包括具有第一长度的突出部，该突出部从保持器的底表面的边缘部突出以与板接触。
[0006]在本公开的各种实施方式中，板可包括第一真空孔和连接到第一真空孔的第二真空孔。第二真空孔可以包括中心孔、线路孔和连接孔。中心孔可以形成在板的上表面以接收从柄部延伸的对准块。线路孔可以形成在板的边缘部。连接孔可以连接在中心孔和线路孔之间。
[0007]在本公开的各种实施方式中，吸引构件可包括形成在吸引构件的底表面的下角部处的凹部，以在吸引构件的底表面处限定接触区域。吸引构件的接触区域可以被吸引到半导体芯片上。吸引构件的底表面的边缘部可以具有比吸引构件的中心区域的厚度薄的厚度。吸引构件可包括与形成在板上的第二真空孔连接的第三真空孔。
[0008]在本公开的各种实施方式中，夹头结构可包括保持器、板和吸引构件。板可以与保持器磁性地且机械地结合。吸引构件可与板接触。保持器可以具有与板的尺寸基本相同的尺寸。保持器可以具有与板的侧壁基本共面的侧壁。
[0009]在本公开的各种实施方式中，一种用于半导体制造设备的夹头结构，所述夹头结构可包括保持器和板。保持器包括穿过保持器的中央部的第一真空孔和围绕保持器的磁性
柄部。所述板配置成与所述保持器联接。所述板包括第二真空孔，当所述板连接到所述保持器时，所述第二真空孔与所述第一真空孔流体连通，用于将真空传递到吸引构件以使所述吸引构件保持附接到所述板。保持器具有用于将保持器与板对准的对准块。该板通过由磁性柄部施加的磁力与保持器磁性连接。
[0010]根据本公开的实施方式，夹头结构的保持器中的柄部和真空提供器可彼此一体地形成，以省略用于组合真空提供器和柄部的附加过程。此外，保持器的尺寸可以基本等于或小于板的尺寸。因此，保持器可以与具有各种尺寸的板接触，以拾取具有各种尺寸的半导体芯片。此外，由具有小尺寸的保持器拾取的半导体芯片不会与相邻的其它半导体芯片和/或部件接触。结果，可以提高拾取工艺的效率、半导体芯片的生产率等，并且还可以防止工艺误差。
附图说明
[0011]从以下结合附图的详细描述中将更清楚地理解本公开的主题的以上和其它方面、特征和优点，在附图中：
[0012]图1是示出根据本公开的实施方式的夹头结构的分解立体图；
[0013]图2是示出根据本公开的实施方式的夹头结构的侧视图；
[0014]图3是示出根据本公开的实施方式的夹头结构的保持器的剖视图；
[0015]图4A和图4B是示出根据本公开的实施方式的保持器的仰视图；
[0016]图5A至图5E是示出根据本公开的实施方式的磁体的布置的平面图；
[0017]图6是示出根据本公开的实施方式的板的截面图；
[0018]图7A和图7B是示出根据本公开的实施方式的板的俯视图；
[0019]图8是示出根据本公开的实施方式的吸引构件的剖视图；
[0020]图9是示出根据本公开的实施方式的吸引构件的平面图；
[0021]图10和图11是根据本公开的实施方式的拆卸夹头结构的方法的剖视图；
[0022]图12是示出根据本公开的实施方式的夹头结构的截面图；以及
[0023]图13和图14是示出根据本公开的实施方式通过夹头结构拾取半导体芯片的操作的截面图。
具体实施方式
[0024]将参考附图更详细地描述本专利技术的各种实施方式。附图是各种实施方式和中间结构的示意图。同样地，预期例如由于制造技术和/或公差而导致的图示的配置和形状的变化。因此，所描述的实施方式不应被解释为限于这里所示的特定配置和形状，而是可以包括不脱离所附权利要求中限定的本专利技术的精神和范围的配置和形状的偏差。
[0025]这里参考本专利技术的实施方式的截面和/或平面图示来描述本专利技术。然而，本专利技术的实施方式不应被解释为限制本专利技术的构思。尽管将示出和描述本专利技术的几个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下，可以对这些实施方式进行改变。
[0026]在下文中，诸如半导体晶圆、晶圆、基板、晶圆基板、部分制造的集成电路等术语可以彼此互换地使用。然而，基板可以表示半导体晶圆、在不同反应室中处理的室部件、或者
封装基板。本领域技术人员可以理解，在半导体制造工艺中的任意工艺期间，部分制造的集成电路是硅晶圆。
[0027]图1是示出根据本公开的实施方式的夹头结构的分解立体图，图2是示出根据本公开的实施方式的夹头结构的侧视图，并且图3是示出根据本公开的实施方式的夹头结构的保持器的剖视图。
[0028]参照图1至图3，根据实施方式的半导体制造设备的夹头结构100可以包括保持器110、板130和吸引构件150。
[0029]保持器110可配置成固定板130和吸引构件150。例如，板130可以磁性地固定到保持器110。保持器110的尺寸基本等于或小于板130的尺寸。保持器110可包括柄部112和真空提供器115。柄部112和真空提供器115可以彼此一体地形成。柄部112和真空提供器115可以由相同或基本相同的材料形成。柄部112可以具有厚度均匀的板状。柄部112可配置成与板130接触。因此，柄部112的面积可基本等于或小于板130的面积。
[0030]真空提供器115可从保持器110外部的外部装置接收真空。例如，真空提供器115可定位在柄部112的上表面的中央部上。真空提供器11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造设备，所述半导体制造设备包括拾取分割的半导体芯片的夹头结构，所述夹头结构包括：保持器，所述保持器接收真空，所述保持器包括设置在所述保持器中的磁体；板，所述板包括与所述保持器磁性地且机械地结合的上表面，所述板包括由所述保持器暴露以从所述保持器接收真空的侧壁；吸引构件，所述吸引构件与所述板接触以使用从所述板提供的真空拾取所述半导体芯片；以及边缘接触部，所述边缘接触部具有从所述保持器的底表面的边缘部突出的第一长度，以与所述板接触。2.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其中，所述保持器包括：柄部，所述柄部的尺寸等于或小于所述板的尺寸；以及真空提供器，所述真空提供器设置在所述柄部的上方，所述真空提供器包括用于传递所述真空的第一真空孔，其中，所述柄部和所述真空提供器一体构成。3.根据权利要求2所述的半导体制造设备，其中，所述保持器还包括对准块，所述对准块从所述柄部的底表面突出以与所述板的上表面结合，并且其中，所述对准块具有比所述第一长度长的第二长度。4.根据权利要求3所述的半导体制造设备，其中，所述对准块包括与所述柄部和所述真空提供器的材料相同的材料。5.根据权利要求3所述的半导体制造设备，其中，所述第一真空孔延伸到所述对准块的底表面。6.根据权利要求3所述的半导体制造设备，其中，所述对准块的宽度等于或小于所述真空提供器的宽度。7.根据权利要求3所述的半导体制造设备，其中，所述对准块具有与所述真空提供器及所述磁体重叠的宽度。8.根据权利要求7所述的半导体制造设备，其中，所述对准块包括从所述第一真空孔分支的多个子孔。9.根据权利要求3所述的半导体制造设备，其中，所述板包括：形成在所述板的上表面处以接收所述对准块的对准槽；以及连接到所述第一真空孔的多个第二真空孔。10.根据权利要求9所述的半导体制造设备，其中，所述多个第二真空孔中的每一个第二真空孔包括：与所述对准槽连接的至少一个中心孔；在所述板的边缘部处形成的线路孔；以及连接在所述中心孔和所述线路孔之间的连接孔。11.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其中，所述吸引构件包括形成在所述吸引构件的下角部处的凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：禹仲范，金秀赫，李炳昊，林泰焕，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：