一种光电传感器的低成本制备方法及其结构技术

本发明专利技术公开一种光电传感器的低成本制备方法，属于半导体工艺领域。本发明专利技术采用普注的方案在硅片表面形成一个与衬底相同掺杂类型的低掺杂层，替代原有的截止环，起到降低器件暗电流的作用。同时普注的注入剂量和能量对于光电器件的性能影响较大，尤其是对于击穿电压的影响。光敏面采用氧化的方案制备出氧化硅介质层，替代原有光刻后重新淀积光敏介质层的方案，最终实现将光电传感器五次光刻降低为只需要三次光刻，最终实现光电传感器制作成本的大幅度降低。幅度降低。幅度降低。

【技术实现步骤摘要】
一种光电传感器的低成本制备方法及其结构


[0001]本专利技术涉及半导体工艺
，特别涉及一种光电传感器的低成本制备方法及其结构。

技术介绍

[0002]光电传感器是一种将光能转化为电能的半导体器件，普遍应用在工业传感、智能家电、工业控制等各行各业中，如遥控器、光控开关、编码器、光电池等等。由于光电传感器的用途非常之广泛，因此市场上对于低成本光电传感器芯片的要求非常高。
[0003]常规的光电传感器需要有截止环、PN结、光敏面、接触孔和电极这五个不同的功能区域，因此常规的光电传感器芯片需要进行五次光刻才能够制备获得，每次光刻后腐蚀和注入也同样需要，因此光电传感器的成本一直无法进一步降低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种光电传感器的低成本制备方法及其结构，以解决目前制备光电传感器的成本较高的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种光电传感器的低成本制备方法，包括：
[0006]步骤1、提供衬底，对其正表面进行一次薄氧形成遮蔽层，使用第一掺杂剂对表面轻掺杂形成第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电传感器的低成本制备方法，其特征在于，包括：步骤1、提供衬底，对其正表面进行一次薄氧形成遮蔽层，使用第一掺杂剂对表面轻掺杂形成第一掺杂区域；步骤2、在掺杂后的衬底表面制备出场氧化层；步骤3、进行第一次光刻并腐蚀出第二掺杂窗口区域，使用第二掺杂剂进行掺杂形成第二掺杂区域；步骤4、根据光响应要求在第二掺杂窗口区域表面氧化出氧化层；步骤5、对第二掺杂窗口区域表面的氧化层进行第二次光刻，制备出接触孔；步骤6、在正面淀积金属电极并进行第三次光刻，腐蚀出正面金属电极；步骤7、在衬底背面淀积背面金属电极。2.如权利要求1所述的光电传感器的低成本制备方法，其特征在于，所述第一掺杂剂的掺杂类型与所述衬底的掺杂类型相同，所述第二掺杂剂的掺杂类型与所述第一掺杂剂的掺杂类型不同。3.如权利要求1所述的光电传感器的低成本制备方法，其特征在于，所述第一掺杂剂的注入剂量为1
×
10
11
cm
‑3～1
×
10
13
cm
‑3，注入能量为30keV～100keV。4.如权利要求3所述的光电传感器的低成本制备方法，其特征在于，所述第一掺杂剂的注入剂量为1
×
10
12
cm
‑3～5
×
10
12
cm
‑3；注入能量为60keV～80keV。5.如权利要求1所述的光电传感器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈慧蓉，陈全胜，张明，彭时秋，王涛，贺琪，
申请(专利权)人：无锡中微晶园电子有限公司，
类型：发明
国别省市：