一种带有隧穿隧道结的同质异质结电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种带有隧穿隧道结的同质异质结电池，包括单晶硅片；在单晶硅片正面上依次沉积的c

【技术实现步骤摘要】
一种带有隧穿隧道结的同质异质结电池及其制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池制造
，更具体的说是涉及一种带有隧穿隧道结的同质异质结电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]光伏产业链近年来快速发展的本质是技术驱动降本提效。目前单晶趋势已经确立，p型电池提效进度放缓，n型电池效率提升潜力大。展望未来，我们认为光伏行业最值得期待的变革在于电池环节将有p型电池转向n型电池，其中，异质结结构电池和隧穿隧道结结构电池以其效率高、降本潜力大而成为光伏行业重要的发展方向。
[0003]异质结太阳能电池，以n型单晶硅片为衬底，在经过制绒清洗的n型硅片正面依次沉积本征非晶硅薄膜和n型非晶硅层形成前表面场，背面依次沉积本征非晶硅薄膜和p型非晶硅层形成p
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n异质结。在掺杂非晶硅薄膜的两侧，再沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)，最后通过丝网印刷在两侧的顶层形成金属电极，形成对称结构的异质结太阳能电池。更进一步地，在非晶硅/单晶硅异质结电池中，通过在单晶硅表面先形成同质结，然后再形成异质结，可以形成同质结电场，起到场钝化作用。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有隧穿隧道结的同质异质结电池，其特征在于，包括单晶硅片；在所述单晶硅片正面上依次沉积的c
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Si非晶硅层、a
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Si非晶硅层、膜层和Ag金属栅线；以及在所述单晶硅片背面上依次沉积的SiO
x
氧化层、poly
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Si掺杂多晶硅层、膜层和Ag金属栅线。2.根据权利要求1所述的一种带有隧穿隧道结的同质异质结电池，其特征在于，当所述单晶硅片为n型时，所述c
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Si非晶硅层和所述a
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Si非晶硅层为p型，所述poly
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Si掺杂多晶硅层为n型。3.根据权利要求1所述的一种带有隧穿隧道结的同质异质结电池，其特征在于，当所述单晶硅片为p型时，所述c
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Si非晶硅层和所述a
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Si非晶硅层为n型，所述poly
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Si掺杂多晶硅层为p型。4.根据权利要求1所述的一种带有隧穿隧道结的同质异质结电池，其特征在于，所述膜层为TCO膜层、IWO膜层、ITO膜层或AZO膜层。5.一种如权利要求1所述带有隧穿隧道结的同质异质结电池的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：(1)先对单晶硅片进行碱制绒，再将单晶硅片放入HNO3和HF的混合溶液中浸泡20s，使单晶硅片形成双面陷光绒面结构并形成圆滑新貌；(2)对制绒后的单晶硅片进行正面高温扩散；(3)对扩散后的单晶硅片进行背面抛光；(4)制作背面隧穿SiO
x
氧化层，沉积poly
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Si掺杂多晶硅层；(5)在poly
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Si掺杂多晶硅层上通过离子注入进行磷掺杂；(6)高温退火；(7)化学清洗；(8)正面沉积c
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Si非晶硅层和a
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Si非晶硅层；(9)镀膜层；(10)丝网印刷及银浆固化，得到Ag金属栅线；(11)光热处理，即得所述带有隧穿隧道结的同质异质结电池。6.根据权利要求5所述的一种带有隧穿隧道结的同质异质结电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述绒面的大小为2
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5μm；步骤(2)中，所述正面高温扩散使用管式扩散炉，掺杂源为BBr3，扩散温度为950℃，正面方阻为120
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180Ω/
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；步骤(3)中，所述背面抛光使用酸制程或碱制程，所述酸制程使用HNO3、HF和H2SO4混合溶液，所述碱制程使用KOH溶液。7.根据权利要求5所述的一种带有隧穿隧道结的同质异质结电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)的操作具体为：...

【专利技术属性】
技术研发人员：高勇，贾慧君，宁鲁豪，张伟，崔宁，李文敏，
申请(专利权)人：晋能光伏技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：