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本发明公开了一种带有隧穿隧道结的同质异质结电池，包括单晶硅片；在单晶硅片正面上依次沉积的c
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该专利属于晋能光伏技术有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过晋能光伏技术有限责任公司授权不得商用。

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