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本发明公开一种光电传感器的低成本制备方法，属于半导体工艺领域。本发明采用普注的方案在硅片表面形成一个与衬底相同掺杂类型的低掺杂层，替代原有的截止环，起到降低器件暗电流的作用。同时普注的注入剂量和能量对于光电器件的性能影响较大，尤其是对于击穿...
该专利属于无锡中微晶园电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡中微晶园电子有限公司授权不得商用。

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