掺杂半导体器件的制备方法及半导体器件技术

本申请涉及一种掺杂半导体器件的制备方法及半导体器件。该掺杂半导体器件的制备方法包括：提供衬底，在衬底的正面和背面分别生长第一氧化层；通过湿法刻蚀的方式刻蚀掉衬底背面的第一氧化层和衬底正面周侧的第一氧化层；对衬底的正面和背面以及第一氧化层的正面和侧面进行涂覆，生成第一掺杂区；对衬底的正面和背面进行高温推结，在第一氧化层的正面、第一掺杂区的正面以及第一掺杂区的背面分别生长第二氧化层；通过干法刻蚀的方式刻蚀掉衬底正面的第一氧化层和第二氧化层；对衬底的正面进行扩散处理，生成第二掺杂区。本申请的双面涂覆方式设备成本造价低，具有更好的刻蚀均匀性且节省工序。性且节省工序。性且节省工序。

【技术实现步骤摘要】
掺杂半导体器件的制备方法及半导体器件


[0001]本申请涉及半导体器件
，特别是涉及一种掺杂半导体器件的制备方法及半导体器件。

技术介绍

[0002]目前，随着电子产品在日常生活中日益普及，半导体器件的制备越来越成为人们关注的热点。
[0003]对于半导体器件掺杂区的制备，一般采用离子注入作为掺杂手段，离子注入机价格昂贵，需要从国外进口，并且先进的离子注入设备购买受限，采购周期长。并且，离子注入方式需要分别从晶圆的正反两面进行离子注入，即在正面进行离子注入时，需要挡住背面，在背面进行离子注入时，需要挡住正面，造成了半导体器件加工步骤繁琐的问题。另外，在离子注入的同时，多结合湿法刻蚀的方式对氧化层进行刻蚀，会导致侧蚀的问题发生，影响最终半导体器件的产出质量。

技术实现思路

[0004]本申请旨在提供一种掺杂半导体器件的制备方法及半导体器件，以解决离子注入设备昂贵、工艺繁琐以及侧蚀等问题的出现。
[0005]第一方面，本申请实施例提出了一种掺杂半导体器件的制备方法，包括：
[0006]提供衬底，在衬底的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺杂半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，在衬底的正面和背面分别生长第一氧化层；通过湿法刻蚀的方式刻蚀掉衬底背面的第一氧化层和衬底正面周侧的第一氧化层；对衬底的正面和背面以及第一氧化层的正面和侧面进行涂覆，生成第一掺杂区；对衬底的正面和背面进行高温推结，在第一氧化层的正面、第一掺杂区的正面以及第一掺杂区的背面分别生长第二氧化层；通过干法刻蚀的方式刻蚀掉衬底正面的第一氧化层和第二氧化层；对衬底的正面进行扩散处理，生成第二掺杂区。2.根据权利要求1所述的掺杂半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述对衬底的正面、衬底背面以及第一氧化正面进行双面涂覆的步骤中，通过匀胶机以旋转涂覆的方式将p型杂质扩散组合物涂覆在衬底的正面和背面。3.根据权利要求1所述的掺杂半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂区为P+掺杂区，所述第二掺杂区为N+掺杂区。4.根据权利要求1所述的掺杂半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述对衬底的正面进行扩散处理，生成第二掺杂区的步骤之后，还包括：通过在炉内进行高温推结，在第二掺杂区的正面、第二氧化层的正面以及第二氧化层的背面分别生长牺牲层。5.根据权利要求4所述的掺杂半导体器件的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为300A
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600A。6.根据权利要求4或5所述的掺杂半导体器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐兴达，任宏志，
申请(专利权)人：北海惠科半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：