硅片扩散制结用链式推进方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片扩散制结用链式推进方法，在链式炉中设置奇数批加热区段和偶数批加热区段；仅当奇数批硅片途径奇数批加热区段时，开启奇数批加热区段的加热装置对途径的奇数批硅片进行高温推进处理；未有奇数批硅片途径奇数批加热区段时，关闭奇数批加热区段的加热装置；仅当偶数批硅片途径偶数批加热区段时，开启偶数批加热区段的加热装置对途径的偶数批硅片进行高温推进处理；未有偶数批硅片途径偶数批加热区段时，关闭偶数批加热区段的加热装置。本发明专利技术的硅片扩散制结用链式推进方法，其能对完成BSG沉积的硅片进行高温推进处理，且能避免炉体以及内部氛围持续加热导致温度过高的问题。度过高的问题。

【技术实现步骤摘要】
硅片扩散制结用链式推进方法


[0001]本专利技术涉及硅片扩散制结用链式推进方法。

技术介绍

[0002]目前光伏行业制备硼发射极的基本上都是采用管式热扩散的方法进行，具体是将硅片插入石英舟后置于石英管内，采用先沉积后推进的方法进行。首先在相对较低温度下由氮气携带BBr3与O2反应在硅片表面形成硼硅玻璃层（BSG层），然后再升温进行高温（大于950℃）推进，来获得一定深度的硼发射极。虽然这种管式沉积并推进的扩散方法可以满足制备硼发射极的要求，但是由于工艺温度高和工艺时间长会导致能耗过高和产能小的问题。
[0003]链式隧道炉由于具有快速升降温且受热更均匀等特点使得其在光伏太阳能电池行业中的应用越来越广泛，目前已经相对成熟的应用在单晶硅电池的制备工艺流程中。在太阳能电池的前道制备工艺流程中，如氧化以及磷扩散等也已开始尝试用链式隧道炉加热的方式进行。相较于链式磷扩和氧化工艺，链式硼扩要想达到短时间的硼结深效果，所需要的工艺峰值温度更高（高达1100℃），并且需要较高的升温速率，采用红外灯管加热硅片可以获得较高的升温速率，但是要使得硅片获得较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.硅片扩散制结用链式推进方法，采用链式炉对完成BSG沉积的硅片进行高温推进处理，形成硼扩散结；其特征在于：在链式炉中分批依次传送硅片，每批至少一个硅片；沿硅片传送方向依次计数各批硅片，将各批硅片分为奇数批硅片和偶数批硅片；在链式炉中设置至少一个高温推进处理区；在所述高温推进处理区中设置两个加热区段，使该两个加热区段沿硅片传送方向依次设置，在该两个加热区段中分别设置加热装置；以其中一个加热区段为奇数批加热区段，以另一个加热区段为偶数批加热区段；控制所述奇数批加热区段的工作模式如下：仅当奇数批硅片途径奇数批加热区段时，开启奇数批加热区段的加热装置，该加热装置对途径的奇数批硅片进行高温推进处理；未有奇数批硅片途径奇数批加热区段时，关闭奇数批加热区段的加热装置，使奇数批加热区段的温度降低；控制所述偶数批加热区段的工作模式如下：仅当偶数批硅片途径偶数批加热区段时，开启偶数批加热区段的加热装置，该加热装置对途径的偶数批硅片进行高温推进处理；未有偶数批硅片途径偶数批加热区段时，关闭偶数批加热区段的加热装置，使偶数批加热区段的温度降低。2.根据权利要求1所述的硅片扩散制结用链式推进方法，其特征在于，在所述高温推进处理区中设置两个预热区段，使该两个预热区段沿硅片传送方向依次设置，在该两个预热区段中分别设置加热装置；使其中一个预热区段与奇数批加热区段相配合，以该预热区段为奇数批预热区段；使另一个预热区段与偶数批加热区段相配合，以该预热区段为偶数批预热区段；控制所述奇数批预热区段的工作模式如下：仅当奇数批硅片途径奇数批预热区段时，开启奇数批预热区段的加热装置，该加热装置对途径的奇数批硅片进行预热处理；未有奇数批硅片途径奇数批预热区段时，关闭奇数批预热区段的加热装置，使奇数批预热区段的温度降低；控制所述偶数批预热区段的工作模式如下：仅当偶数批硅片途径偶数批预热区段时，开启偶数批预热区段的加热装置，该加热装置对途径的偶数批硅片进行预热处理；未有偶数批硅片途径偶数批预热区段时，关闭偶数批预热区段的加热装置，使偶数批预热区段的温度降低...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹育红，张胜军，许佳平，符黎明，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：