杂质扩散方法和太阳能电池制造方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种杂质扩散方法和太阳能电池制造方法，其中所述杂质扩散方法包括：在待处理基板上形成第一扩散源层，所述第一扩散源层富含受主或施主杂质元素，且所述第一扩散源层中氧和氮的原子浓度比之和小于10at％；在所述第一扩散源层上形成第二扩散源层，所述第二扩散源层富含氧元素和/或氮元素；对所述待处理基板进行退火处理，使得所述第一扩散源层中的所述受主或施主杂质元素扩散入所述待处理基板，并且使得所述第二扩散源中的氧元素和/或氮元素扩散入所述第一扩散源层。氧元素和/或氮元素扩散入所述第一扩散源层。氧元素和/或氮元素扩散入所述第一扩散源层。

【技术实现步骤摘要】
杂质扩散方法和太阳能电池制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件制造
，具体涉及一种杂质扩散方法和太阳能电池制造方法。

技术介绍

[0002]杂质扩散是制备诸如太阳能电池等半导体器件的关键工艺步骤，主要有离子注入和高温扩散两种方式，离子注入设备成本高，高温扩散法则投资成本低。
[0003]对于高温扩散的方式，以硼扩散为例，现有技术中常规的扩散源采用BBr3或BCl3，在扩散工艺上均存在一些显著不足。若采用BBr3作为扩散源，在反应过程中会产生B2O3中间产物，该物质为液态，无法像气体一样自由扩散，受自身重力影响，竖直放置的基板表面沉积的B2O3质量分布极不均匀，不利于基板表面的均匀性掺杂，且BBr3作为扩散源，在反应过程中易在炉门区域产生含溴的粘性副产物，对石英器件有很强的腐蚀作用，且温度越低粘稠度越高，低温下石英表面易形成硼硅玻璃，在石英炉门开关过程中极易粘接。若采用BCl3作为扩散源以避免炉门粘结，则又会产生HCl或Cl2等强腐蚀性副产物，对设备及管道寿命造成严重影响。
[0004]为解决该问题，现有技术中还提出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种杂质扩散方法，其特征在于，包括：在待处理基板上形成第一扩散源层，所述第一扩散源层富含受主或施主杂质元素，且所述第一扩散源层中氧和氮的原子浓度比之和小于10at％；在所述第一扩散源层上形成第二扩散源层，所述第二扩散源层富含氧元素和/或氮元素；对所述待处理基板进行退火处理，使得所述第一扩散源层中的所述受主或施主杂质元素扩散入所述待处理基板，并且使得所述第二扩散源中的氧元素和/或氮元素扩散入所述第一扩散源层。2.根据权利要求1所述的杂质扩散方法，其特征在于，所述第一扩散源层中受主或施主杂质元素的原子浓度比小于20at％。3.根据权利要求1所述的杂质扩散方法，其特征在于，所述第一扩散源层为富硼掺杂层或富磷掺杂层，优选地所述第一扩散源层为富硼硅化物层或富磷硅化物层。4.根据权利要求1所述的杂质扩散方法，其特征在于，在所述第一扩散源层富含受主杂质元素时，所述第二扩散源层含有所述受主杂质元素；或者在所述第一扩散源层富含施主杂质元素时，所述第二扩散源层含有所述施主杂质元素。5.根据权利要求4所述的杂质扩散方法，其特征在于，所述第二扩散源层为富氧硼硅玻璃层或富氮硼硅复合物层或富氧氮硼硅复合物层；或者所述第二扩散源层为富氧磷硅玻璃层或富氮磷硅复合物层或富氧氮磷硅复合物层。6.根据权利要求5所述的杂质扩散方法，其特征在于，所述富氧硼硅玻璃层为单一非晶态SiO
x
B
y
:O薄膜，其中O的原子浓度比为10
‑
70at％，B的原子浓度比为0.01
‑
20at％；或者所述富氮硼硅复合物层为单一非晶态SiN
x
B
y
薄膜，其中N的原子浓度比为10
‑
70at％，B的原子浓度比为0.01
‑
20at％；或者所述富氧氮硼硅复合物层为单一非晶态SiO
x
B
y
N
z
:O薄膜，其中O和N的原子浓度比之和为10
‑
70at％，B的原子浓度比为0.01
‑
20at％；或者所述富氧磷硅玻璃层为单一非晶态SiO
x
P
y
:O薄膜，其中O的原子浓度比为...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶继春，闫宝杰，曾俞衡，杜浩江，程皓，刘伟，廖明墩，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：