一种箱法硼微晶玻璃源浓硼扩散的方法技术

本发明专利技术提供了一种箱法硼微晶玻璃源浓硼扩散的方法，包括：S1)将硼微晶玻璃进行高温预处理，得到预处理后的硼微晶玻璃；S2)将预处理后的硼微晶玻璃与待扩散处理的硅片层叠放置，加热进行扩散处理，得到处理后的硅片；所述待扩散处理的硅片的正面与预处理后的硼微晶玻璃相接触；S3)除去处理后的硅片表面的硼硅玻璃，得到硼扩散处理的硅片。与现有技术相比，本发明专利技术将PWB源与Si片直接接触，能实现高表面浓度的同时形成浅结；其次，本发明专利技术还可实现PWB源上下两面分别接触两层若干Si片的需掺杂面，提高扩散效率；再者，本发明专利技术提供的方法仅使用一步扩散，无须中途取出Si片处理，过程简单易操作，且避免了不必要的污染。且避免了不必要的污染。且避免了不必要的污染。

【技术实现步骤摘要】
一种箱法硼微晶玻璃源浓硼扩散的方法


[0001]本专利技术属于微波半导体
，尤其涉及一种箱法硼微晶玻璃源浓硼扩散的方法。

技术介绍

[0002]微波半导体扩散工艺技术分为：恒定表面源扩散和限定表面源扩散。在理想情况下，恒定表面源扩散时，杂质浓度随距离表面的深度以余误差函数分布，表面浓度始终保持不变，与时间无关；限定表面源扩散杂质浓度则为高斯分布，当扩散温度保持恒定时，随着扩散时间的增加，表面杂质浓度不断下降，但扩散杂质总量保持不变。
[0003]就P型掺杂剂的硼扩散源来说，包括硼酸三甲脂、硼酸正丙脂液态源、氮化硼(BN)粉末源、BN片状源和硼微晶玻璃源(PWB)。其中PWB扩散源具有使用方便、操作简单、扩散均匀性、重复性好的优点，使用时间长并易于控制。PWB源中B2O3是从里到外均匀分布，使用前不需要烧源活化，源片吸水性小，无需特殊保存，不易粘舟，且使用温度范围较广，高温可达1100℃以上，其扩散方块电阻可控范围较大，因此是一种理想的扩散源。PWB源扩散原理为：高温下PWB中B2O3均匀挥发，部分与气氛中微量的H2O作用，生成HB本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种箱法硼微晶玻璃源浓硼扩散的方法，其特征在于，包括：S1)将硼微晶玻璃进行高温预处理，得到预处理后的硼微晶玻璃；S2)将预处理后的硼微晶玻璃与待扩散处理的硅片层叠放置，加热进行扩散处理，得到处理后的硅片；所述待扩散处理的硅片的正面与预处理后的硼微晶玻璃相接触；S3)除去处理后的硅片表面的硼硅玻璃，得到硼扩散处理的硅片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1)中硼微晶玻璃先进行清洗处理与烘烤处理后，再进行高温预处理；所述清洗处理先用丙酮擦拭再用水进行清洗；所述烘烤处理的温度为1000℃～1200℃；所述烘烤处理的时间大于等于24h。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述烘烤处理在通入保护气氛的条件下进行；所述保护气氛的流量为0.5～2L/min。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1)中高温预处理的温度为1000℃～1200℃；所述高温预处理的时间为10～60min。5.根据权利要求1所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨青，
申请(专利权)人：成都亚光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：