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本申请涉及一种掺杂半导体器件的制备方法及半导体器件。该掺杂半导体器件的制备方法包括：提供衬底，在衬底的正面和背面分别生长第一氧化层；通过湿法刻蚀的方式刻蚀掉衬底背面的第一氧化层和衬底正面周侧的第一氧化层；对衬底的正面和背面以及第一氧化层的正...
该专利属于北海惠科半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北海惠科半导体科技有限公司授权不得商用。

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