一种三维芯片及电子设备制造技术

本申请公开一种三维芯片及电子设备，涉及芯片技术领域，能够提高三维芯片的性能和可靠性。三维芯片，包括：第一芯片单元，所述第一芯片单元上设置有第一电路；第二芯片单元，所述第二芯片单元上设置有第二电路；基础键合单元，所述第一电路与所述第二电路通过所述基础键合单元电连接，所述基础键合单元关联至少一个冗余键合单元，所述冗余键合单元与对应的所述基础键合单元并联于同一个所述第一电路和同一个所述第二电路之间。同一个所述第二电路之间。同一个所述第二电路之间。

【技术实现步骤摘要】
一种三维芯片及电子设备


[0001]本申请涉及芯片
，尤其涉及一种三维芯片及电子设备。

技术介绍

[0002]在3D IC(三维芯片)中，HB cell(Hybrid bonding cell，键合单元)用于连接两个芯片。两个芯片之间唯一的数据交互通路就是HB cell，HB cell的数量会直接影响三维芯片的性能和可靠性。
[0003]然而，在现有的三维芯片中，HB cell的数量和位置的设置均依赖于芯片的端口位置以及芯片线路连接的需求，未考虑三维芯片的性能和可靠性

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种三维芯片及电子设备，能够提高三维芯片的性能和可靠性。
[0005]本申请实施例的第一方面，提供一种三维芯片，包括：
[0006]第一芯片单元，所述第一芯片单元上设置有第一电路；
[0007]第二芯片单元，所述第二芯片单元上设置有第二电路；
[0008]基础键合单元，所述第一电路与所述第二电路通过所述基础键合单元电连接，所述基础键合单元关联至少一个冗余键合单元，所述冗余键合单元与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维芯片，其特征在于，包括：第一芯片单元，所述第一芯片单元上设置有第一电路；第二芯片单元，所述第二芯片单元上设置有第二电路；基础键合单元，所述第一电路与所述第二电路通过所述基础键合单元电连接，所述基础键合单元关联至少一个冗余键合单元，所述冗余键合单元与对应的所述基础键合单元并联于同一个所述第一电路和同一个所述第二电路之间。2.根据权利要求1所述的三维芯片，其特征在于，所述第一电路包括第一导电部，所述第二电路包括第二导电部，所述第一导电部与所述第二导电部通过所述基础键合单元电连接；所述第二导电部在所述第一芯片单元上的正投影为第一投影，与所述第二导电部电连接的所述第一导电部所在区域与所述第一投影的交叠区域为键合区域，电连接同一个所述第一导电部和同一个所述第二导电部的所述基础键合单元和所述冗余键合单元均设置于所述键合区域内。3.根据权利要求2所述的三维芯片，其特征在于，所述第一投影的面积大于与所述第二导电部电连接的所述第一导电部所在区域的面积。4.根据权利要求2所述的三维芯片，其特征在于，所述第一芯片单元包括第一顶层金属层，所述第一顶层金属层内设置有所述第一导电部；所述第二芯片单元包括第二顶层金属层，所述第二顶层金属层内设置有所述第二导电部；所述基础键合单元和所述冗余键合单元设置于所述第一顶层金属层与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺璐璐，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：