一种Memory芯片封装方法及结构技术

本发明专利技术公开了一种Memory芯片封装方法及结构，通过在长条形芯片宽度方向延伸生成无功能结构层，在无功能结构层的底部阵列支撑凸点，阵列形成的支撑凸点与长条形芯片底部的功能凸点高度一致，利用支撑凸点使长条形芯片整体通过支撑凸点配合功能凸点支撑，然后通过倒装贴片方法将延伸有无功能结构层的长条形芯片贴合到基板衬底的引脚上，采用回流焊将长条形芯片及其无功能结构层底部的支撑凸点与基板衬底的引脚同时焊接，一体封装成型，支撑凸点与引脚焊接，将封装应力分散到无功能结构层上的支撑凸点上，避免了功能凸点因应力而脱落，大大降低长条形芯片底部功能凸点受到应力的影响，提高了长条形芯片结构的安装稳定性。提高了长条形芯片结构的安装稳定性。提高了长条形芯片结构的安装稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种Memory芯片封装方法及结构


[0001]本专利技术属于封装
，涉及一种增加Memory芯片支撑以降低封装应力的方法，具体涉及一种Memory芯片封装方法及结构。

技术介绍

[0002]随着电子信息技术飞速发展，AI智能、物联网、高性能处理器产品对存储芯片的需求量越来越大，存储芯片出货量在消费电子产品中的比重逐年增加。随着芯片集成度提升，存储芯片的尺寸在逐渐变大，且由于存储芯片本身设计特殊性，即芯片一般会呈长条形，传统覆晶技术对长条形芯片封装无技术难点，倒装技术相对传统引线键合技术，在电信号传输，散热，信号串扰，超薄超小封装尺寸及制造周期方面有很大优势，故存储芯片导入倒装封装成为趋势。但是对于倒装封装技术，存储芯片封装应力影响显著增加，导致芯片存在应力，从而降低了产品的可靠性及合格率。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种Memory芯片封装方法及结构，以克服现有技术的不足，本专利技术通过在长条形芯片延伸面增加没有功能的凸点做支撑来降低封装应力影响，从而增加产品可靠性与良率。r/>[0004]一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Memory芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：在长条形芯片宽度方向延伸生成无功能结构层，在无功能结构层的底部阵列支撑凸点，阵列形成的支撑凸点与长条形芯片底部的功能凸点高度一致，然后通过倒装贴片方法将延伸有无功能结构层的长条形芯片贴合到基板衬底的引脚上，采用回流焊将长条形芯片及其无功能结构层底部的支撑凸点与基板衬底的引脚同时焊接，完成长条形芯片的封装。2.根据权利要求1所述的一种Memory芯片封装方法，其特征在于，在长条形芯片宽度方向延伸生成无功能结构层，延伸后长条形芯片在其原宽度方向上的整体宽度不大于长条形芯片原长度的1.5倍。3.根据权利要求1所述的一种Memory芯片封装方法，其特征在于，长条形芯片宽度方向延伸生成无功能结构层，延伸后长条形芯片在其原宽度方向上的整体宽度等于长条形芯片原长度。4.根据权利要求1所述的一种Memory芯片封装方法，其特征在于，采用晶圆制造工艺在长条形芯片宽度方向延伸生成无功能结构层。5.根据权利要求1所述的一种Memory芯片封装方法，其特征在于，长条形芯片宽度方向延伸生...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐召明，张建东，袁致波，
申请(专利权)人：华天科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：