【技术实现步骤摘要】
半导体组件、制备方法及半导体器件
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体组件、制备方法及半导体器件。
技术介绍
[0002]在半导体制造工艺中，需要先对晶片进行键合后再倒装到封装基板上，而高温键合工艺则需要较高的温度。传统晶片键合的过程如图1所示，第一晶片101的第一键合材料与第二晶片102的第二键合材料进行键合时，例如现有技术的第一键合材料和第二键合材料一般为AU(金)金属，AU的熔点为1064℃，因此AU
‑
AU键合的温度在363℃(三分之一的键合金属熔点)以上便能够实现很好的键合。由于键合金属本身的熔点过高，从而导致了相应的键合温度过高，而过高的键合温度会导致升温时长过长，不仅会产生过多的氧化物影响键合质量，并且由于热应力应变的影响导致器件的可靠性随之降低。
[0003]进一步的，由于受表面氧化、杂质、颗粒、异物112的影响下容易出现键合不良，会使得第一晶片101和第二晶片102键合的同时会有孔洞113、裂纹114产生，导致第一晶片101和第二晶片102键合后的密封性...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体组件，其特征在于，所述半导体组件包括：第一晶片，所述第一晶片具有第一表面，所述第一表面上设置有至少一个第一金属部件，所述第一金属部件的至少部分的外部包覆有第二金属部件；第二晶片，所述第二晶片具有与所述第一表面相对的第二表面，所述第二晶片在所述第二表面上设置有与所述第一金属部件一一对应的凹槽；其中，所述第一金属部件嵌入对应的凹槽中，并且经过高温键合工艺后所述第一金属部件外部所包覆的第二金属部件填充对应的凹槽的一部分或全部，以将所述第一晶片与所述第二晶片键合。2.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述半导体组件还包括：至少一个导电通路，所述导电通路设于所述第一晶片与所述第二晶片之间。3.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，第一金属部件的金属熔点>第二金属部件的金属熔点。4.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，每个所述凹槽的宽度大于对应的第一金属部件整体包覆第二金属部件后整体的最大宽度，每个所述第一金属部件的长度大于或等于所述对应的凹槽的深度。5.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，每个所述第一金属部件包括底部和所述底部上的至少一个金属突出部，每个所述金属突出部的外部包覆有所述第二金属部件。6.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，每个所述第一金属部件包括至少一个金属突出部，每个所述金属突出部的外部均包覆有所述第二金属部件。7.根据权利要求5或6所述的半导体组件，其特征在于，每个所述第一金属部件在垂直于所述第一表面的方向上的投影呈环形。8.根据权利要求5或6所述的半导体组件，其特征在于，至少一个所述金属突出部远离所述第一表面的一端由至少一个次级金属突出部构成，其中，在垂直于所述第一表面的方向上，所述至少一个次级金属突出部的投影均在该金属突出部的投影之内。9.根据权利要求8所述的半导体组件，其特征在于，每个所述次级金属突出部在垂直于所述第一表面的方向上的投影呈环形。10.根据权利要求5所述的半导体组件，其特征在于，所述第一金属部件的底部位于所述第一表面上或嵌入所述第一晶片的内部。11.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，每个所述第一金属部件的截面形状为下列中的任意一种：三角形、长方形、圆形、梯形、T形、椭圆形、多边形。12.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，每个所述第一金属部件的外部包覆有第三金属部件，并且所述第二金属部件包覆所述第三金属部件。13.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述第一晶片还包括金属种子层，所述第一金属部件设于所述金属种子层的表面。14.根据权利要求13所述的半导体组件，其特征在于，所述第一金属部件的材质是铜，所述第二金属部件的材质是锡银，所述第三金属部件的材质是镍，所述金属种子层的材质是铜。15.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述第一晶片是包括功能器件的
器件晶片，所述第二晶片是封盖晶片；或者，所述第二晶片是包括功能器件的器件晶片，所述第一晶片是封盖晶片。16.一种半导体组件的制备方法，其特征在于，包括：提供具有第一表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：王矿伟，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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