一种POP封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种POP封装结构，包括，第一封装体，第一封装体包括基板表面锡球、基础pad、塑封体一、wire线一、基板一、基板背面锡球、基板底部锡球和芯片一；若干个第二封装体，第二封装体包括塑封体二、芯片二、wire线二和基板二，所述第二封装体位于第一封装体的顶部；金属体，所述金属体作为中间层设置在第一封装体和第二封装体之间，金属体包括金属片，所述金属片贴装在在塑封体一表面上；外部件，其为溅射金属层，所述第一封装体、若干个第二封装体和金属体均位于溅射金属层的内部。本实用新型专利技术通过中间层金属片作为电磁屏蔽接地端，连接POP产品外围溅射金属层，到达电磁屏蔽功能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
一种POP封装结构


[0001]本技术涉及半导体
，特别是一种POP封装结构。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的快速发展，电子产品微型化越来越高密度，功能越来越多，产品尺寸越来越小，锡球与锡球之间的距离越来越小，因此，POP(Package on Package)堆叠结构广泛应用于半导体行业中。它将不同功能芯片封装后，进行堆叠，主要优势为高密度集成，封装产品尺寸小，产品性能优越，信号传输频率快等，产品主要应用于微型化和薄型化的通信终端产品。由于整个POP封装体封装材料使用不同，容易导致POP产品，另外，随着电子产品运用于通信领域高频信号，故需求产品具备电磁屏蔽结构，防止各种芯片和元器件互相产生的电磁干扰现象发生。
[0003]图1是现有POP结构，包括第一封装体和第二封装体，第一封装体中1为基板一，2为芯片一，3为基础pad，4为wire线一，5为基础表面锡球，6为塑封体一，11为基板背面锡球，12为基板底部锡球，第二封装体中7为塑封体二，8为wire线二，9为芯片二，10为基板二；
[0004]目前POP结构封装制程：
[0005]第一封装体制程：基板植锡球
‑
贴芯片—打线—包封
‑
植球—激光开孔
‑
叠装第二封装体
‑
回流
[0006]第二封装体制程：贴装芯片
‑
打线
‑
包封
‑
切割
[0007]1.基板植锡球：利用植锡球机台，在基板表面植上锡球，回流固化锡球；
[0008]2.贴芯片/打线：基板表面完成贴装芯片以及打线工艺；
[0009]3.包封：利用塑封料将连接好的芯片线路塑封起来，起到保护作用；
[0010]4.植球：利用植球机台，将基板背面植锡球，回流固化锡球；
[0011]4.激光开孔：利用激光机台，在塑封体上挖出底部基板锡球，形成孔；
[0012]5.叠装第二塑封体：通过SMT机台，将第二塑封体基板底部锡球沾取flux，锡珠叠装在挖孔区域，达到第一塑封体基板锡球与第二塑封体基板底部锡球结合，通过回流固化完成POP制程。
[0013]目前现有技术有以下缺点：
[0014]一、采用现有技术POP封装体中，不同封装体的材料使用不同，材料间的CTE系数不同，产品回流焊接过程中，容易导致产品翘曲，从而导致锡球与锡球(中间层锡球以及基板底部锡球)之间桥接/虚焊；
[0015]二、采用现有技术POP封装体中，封装体之间与封装体之间无电磁屏蔽层，以及整个POP封装体外围无电磁屏蔽层，无法达到电磁屏蔽作用；
[0016]三、采用现有技术POP封装体中，封装体与封装体之间的热能，无法有效散热，导致产品运行时，热能过高，影响产品性能；
[0017]四、现有技术POP封装体中，无法实现多个功能芯片的电磁屏蔽。
[0018]基于此，本技术提出一种POP封装结构，以解决上述提到的问题。

技术实现思路

[0019]本部分的目的在于概述本技术的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和技术名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和技术名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本技术的范围。
[0020]鉴于上述和/或现有的POP封装结构中存在的问题，提出了本技术。
[0021]因此，本技术所要解决的问题在于如何提供一种POP封装结构。
[0022]为解决上述技术问题，本技术提供如下技术方案：一种POP封装结构，包括，
[0023]第一封装体，第一封装体包括基板表面锡球、基础pad、塑封体一、wire线一、基板一、基板背面锡球、基板底部锡球和芯片一，所述基板底部锡球均匀设置在基板一的底部，所述基板背面锡球和芯片一设置在基板一的顶部中间，所述基板背面锡球位于芯片一后侧，所述wire线一与芯片一相连接，所述基板一的顶部左右两侧均设置有基板表面锡球，所述基板表面锡球和基板背面锡球上均设置有基础pad，所述塑封体一位于基板一的顶部，所述基板表面锡球、基板背面锡球、芯片一和wire线一均位于塑封体一的内部；
[0024]若干个第二封装体，第二封装体包括塑封体二、芯片二、wire线二和基板二，所述第二封装体位于第一封装体的顶部，所述塑封体二位于基板二的顶部，所述wire线二与芯片二相连接，所述wire线二和芯片二均位于塑封体二的内部；
[0025]金属体，所述金属体作为中间层设置在第一封装体和第二封装体之间，金属体包括金属片，所述金属片贴装在在塑封体一表面上；
[0026]外部件，其为溅射金属层，所述第一封装体、若干个第二封装体和金属体均位于溅射金属层的内部。
[0027]作为本技术所述的POP封装结构的一种优选方案，其中：所述金属片的顶部设置有多个功能区金属柱，贴装第二封装体这样的多个封装体时，起到隔离不同功能芯片区作用，达到分区电磁屏蔽。
[0028]作为本技术所述的POP封装结构的一种优选方案，其中：所述金属片上设置有激光开孔区，激光通过激光开孔区挖出基板底部锡球，形成塑封体上形成孔。
[0029]作为本技术所述的POP封装结构的一种优选方案，其中：所述激光开孔区设置有金属凸起，叠装第二封装体时，基板底部锡球与基板表面锡球焊接时接触金属凸起，达到接地端相连，起到电磁屏蔽。
[0030]本技术有益效果为：
[0031]第一、通过中间层金属片起到支撑作用，达到减小基板翘曲，减小锡球桥接、虚焊。
[0032]第二、通过中间层金属片作为电磁屏蔽接地端，连接POP产品外围溅射金属层，到达电磁屏蔽功能。
[0033]第三、中间层金属片预留激光开孔区中的金属凸起，达到锡球接地端与金属片相连，以及基板锡球与基板背面锡球相连,达到上下封装体产品接地相连。
[0034]第四、通过中间层增加金属片，热传导作用将中间内部热量传导至外围金属溅射层，起到散热作用。
[0035]第五、金属片作为隔离层，达到不同功能POP产品电磁屏蔽。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中：
[0037]图1为现有POP结构示意图；
[0038]图2为本技术的POP封装结构示意图；
[0039]图3为本技术的金属片上的激光开孔区和金属凸起的位置状态示意图；
[0040]附图中，各标号所代表的部件列表如下：
[0041]100、第一封装体；101、基板表面锡球；102、基础pad；103、塑封体一；104、wire线一；105本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种POP封装结构，其特征在于：包括，第一封装体(100)，第一封装体(100)包括基板表面锡球(101)、基础pad(102)、塑封体一(103)、wire线一(104)、基板一(105)、基板背面锡球(106)、基板底部锡球(107)和芯片一(108)，所述基板底部锡球(107)均匀设置在基板一(105)的底部，所述基板背面锡球(106)和芯片一(108)设置在基板一(105)的顶部中间，所述基板背面锡球(106)位于芯片一(108)后侧，所述wire线一(104)与芯片一(108)相连接，所述基板一(105)的顶部左右两侧均设置有基板表面锡球(101)，所述基板表面锡球(101)和基板背面锡球(106)上均设置有基础pad(102)，所述塑封体一(103)位于基板一(105)的顶部，所述基板表面锡球(101)、基板背面锡球(106)、芯片一(108)和wire线一(104)均位于塑封体一(103)的内部；若干个第二封装体(200)，第二封装体(200)包括塑封体二(201)、芯片二(202)、wire线二(...

【专利技术属性】
技术研发人员：何正鸿，钟磊，
申请(专利权)人：甬矽电子宁波股份有限公司，
类型：新型
国别省市：