半导体芯片的互连结构和包括该互连结构的半导体封装件制造技术

提供了一种半导体芯片的互连结构和半导体封装件。所述互连结构可以包括互连过孔件、下焊盘、导电凸块和上焊盘。互连过孔件可以布置在半导体芯片中。下焊盘可以布置在互连过孔件的通过半导体芯片的下表面暴露的下端上。导电凸块可以布置在下焊盘上。上焊盘可以布置在互连过孔件的通过半导体芯片的上表面暴露的上端上。上焊盘的宽度可以比互连过孔件的宽度宽，并且可以比下焊盘的宽度窄。因此，在具有薄的厚度的互连结构中，不会在导电凸块之间产生电短路。电短路。电短路。

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片的互连结构和包括该互连结构的半导体封装件
[0001]相关申的交叉引用
[0002]本申要求于2020年9月23日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申No.10
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2020
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0122984的优先权，该申的公开内容以引用方式全部并入本文中。


[0003]示例实施例涉及一种半导体芯片的互连结构和制造该互连结构的方法、以及包括该互连结构的半导体封装件和制造该半导体封装件的方法。更具体地，示例实施例涉及一种被构造为将堆叠的半导体芯片彼此电连接的互连结构和制造该互连结构的方法、以及包括该互连结构的半导体封装件和制造该半导体封装件的方法。

技术介绍

[0004]半导体封装件可以包括多个堆叠半导体芯片。半导体芯片可以经由互连结构彼此电连接。互连结构可以包括导电凸块、焊盘、诸如硅穿通过孔件(TSV)的互连过孔件等。
[0005]根据相关技术，由于堆叠半导体芯片的数量可能已增加，因此可以减小导电凸块之间的节距，并且也可以减小互连过孔件的宽度。因此，可能需要减小互连结构的厚度，同时防止本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的互连结构，所述互连结构包括：互连过孔件，其布置在所述半导体芯片中；下焊盘，其布置在所述互连过孔件的通过所述半导体芯片的下表面暴露的下端上；导电凸块，其布置于所述下焊盘上；以及上焊盘，其包括主体焊盘和互连焊盘，所述主体焊盘布置在所述互连过孔件的通过所述半导体芯片的上表面暴露的上端上，所述互连焊盘布置在所述主体焊盘的上表面上，其中，所述主体焊盘具有与所述下焊盘的宽度实质上相同的宽度，并且所述互连焊盘具有比所述互连过孔件的宽度宽并且比所述下焊盘的宽度窄的宽度。2.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述互连焊盘位于所述主体焊盘的上表面的中心部分上。3.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述互连焊盘布置在所述主体焊盘的上表面和侧表面上。4.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述下焊盘的宽度为15μm至20μm，所述互连过孔件的宽度为4μm至5μm，并且所述互连焊盘的宽度为5μm至8μm。5.根据权利要求1的互连结构，其中，所述上焊盘具有比所述下焊盘的厚度薄的厚度。6.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述互连焊盘具有比所述主体焊盘的厚度厚的厚度。7.根据权利要求6所述的互连结构，其中，所述主体焊盘的厚度为2μm至3μm，并且所述互连焊盘的厚度为4μm至5μm。8.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述主体焊盘包括镍，并且其中，所述互连焊盘包括金。9.一种半导体封装件，包括：封装件衬底；第一半导体芯片，其布置在所述封装件衬底的上表面上；第一互连过孔件，其布置在所述第一半导体芯片中；第一下焊盘，其布置在所述第一互连过孔件的通过所述第一半导体芯片的下表面暴露的下端上；第一导电凸块，其布置在所述第一下焊盘上，并且与所述封装件衬底电连接；第一上焊盘，其包括第一主体焊盘和第一互连焊盘，所述第一主体焊盘布置在所述第一互连过孔件的通过所述第一半导体芯片的上表面暴露的上端上，所述第一互连焊盘布置在所述第一主体焊盘的上表面上；第二半导体芯片，其布置在所述第一半导体芯片上；绝缘膜，其介于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间；第二互连过孔件，其布置在所述第二半导体芯片中；第二下焊盘，其布置在所述第二互连过孔件的通过所述第二半导体芯片的下表面暴露的下端上；第二导电凸块，其布置在所述第二下焊盘上，并且与所述第一上焊盘电连接；以及第二上焊盘，其包括第二主体焊盘和第二互连焊盘，所述第二主体焊盘布置在所述第
二互连过孔件的通过所述第二半导体芯片的上表面暴露的上端上，所述第二互连焊盘布置在所述第二主体焊盘的上表面上，其中，所述第一主体焊盘具有与所述第一下焊盘的宽度实质上相同的宽度，并且所述第一互连焊盘具有比所述第一互连过孔件的宽度宽并且比所述第一下焊盘的宽度窄的宽度，以及其中，所述第二主体焊盘具有与所述第二下焊盘的宽度实质上相同的宽度，并且所述第二互连焊盘具有比所述第二互连过孔件的宽度宽并且比所述第二下焊盘的宽度窄的宽度。10.如权利要求9所述的半导体封装件，其中，所述第二导电凸块包括被构造为容纳所述第一互连焊盘的容纳槽。11.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，所述第一互连焊盘位于所述第一主体焊盘的上表面的中心部分上，以及其中，所述第二互连焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：马金希，张喆容，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：